[发明专利]存储器设备以及控制方法在审
| 申请号： | 201980100500.3 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN114424331A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 吉水康人;福岛崇;人见达郎;井上新;三浦正幸;菅野伸一;藤泽俊雄;中塚圭祐;佐贯朋也 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;G06F12/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能够进行适当的温度控制的存储器设备。根据实施方式，存储器设备具备探测器和储料器。所述探测器向包括多个非易失性存储器芯片的半导体晶片存储器写入数据，或者从所述半导体晶片存储器读出数据。所述储料器存放处于从所述探测器拔脱的状态的多个所述半导体晶片。所述探测器具有第一温度控制机构。所述第一温度控制机构将所述半导体晶片升温至第一温度以上。所述储料器具有第二温度控制机构。所述第二温度控制机构将所述半导体晶片冷却到比所述第一温度低的第二温度以下。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 设备 以及 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
