[发明专利]存储器设备以及控制方法在审
申请号: | 201980100500.3 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN114424331A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 吉水康人;福岛崇;人见达郎;井上新;三浦正幸;菅野伸一;藤泽俊雄;中塚圭祐;佐贯朋也 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;G06F12/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘英华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 设备 以及 控制 方法 | ||
1.一种存储器设备,具备:
探测器,向包括多个非易失性存储器芯片的半导体晶片写入数据或从所述半导体晶片读出数据;以及
储料器,存放处于从所述探测器拔脱的状态的多个所述半导体晶片,
所述探测器具有第一温度控制机构,该第一温度控制机构用于将所述半导体晶片升温到第一温度以上,
所述储料器具有第二温度控制机构,该第二温度控制机构用于将所述半导体晶片冷却到比所述第一温度低的第二温度以下。
2.根据权利要求1所述的存储器设备,
所述探测器具有:
载物台,保持所述半导体晶片;
探测卡,与由所述载物台保持的所述半导体晶片对置,在该对置的第一面上具有多个探针;以及
驱动部,使所述载物台或所述探测卡中的至少一方移动,使在所述半导体晶片的与所述探测卡对置的面上设置的多个焊盘电极与所述多个探针接触,或者使处于接触状态的所述多个焊盘电极与所述多个探针分离,
所述半导体晶片在通过所述第一温度控制机构而在所述载物台上被升温至所述第一温度以上后,通过所述驱动部而与所述多个探针接触。
3.根据权利要求2所述的存储器设备,
所述第一温度控制机构包括形成在所述载物台内的多个温度控制机构,能够针对所述半导体晶片的与由所述载物台保持的面相比面积小的多个不同的区域的每一个区域进行不同的温度控制。
4.根据权利要求3所述的存储器设备,
所述第一温度控制机构通过所述多个温度控制机构将所述半导体晶片的每个所述区域的温度维持在第一范围内的温度。
5.根据权利要求4所述的存储器设备,
所述多个不同的区域是所述半导体晶片内的与所述多个非易失性存储器芯片的位置分别对应的区域。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的存储器设备,
所述第一温度控制机构包括以所述探测卡的所述第一面为控制对象而形成的温度控制机构。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的存储器设备,
所述探测卡包括多个半导体部件,该多个半导体部件配置在与所述第一面对置的第二面,
所述第一温度控制机构包括温度控制机构,该温度控制机构用于将在所述第二面配置的所述多个半导体部件冷却。
8.根据权利要求7所述的存储器设备,
在所述探测卡的所述第一面与所述第二面之间具有隔热材料。
9.根据权利要求7所述的存储器设备,
所述多个半导体部件包括对所述非易失性存储器芯片进行控制的控制器、用于选择性地使多个所述控制器动作的接口开关、FPGA、继电器或电容器中的至少一个。
10.根据权利要求7所述的存储器设备,
所述多个半导体部件中的至少一个半导体部件监视由在所述载物台及所述探测卡中设置的多个温度计所计测的温度中的至少一个。
11.根据权利要求1或2所述的存储器设备,
所述第二温度控制机构包括冷却机构,该冷却机构使用冷却水、冷却空气或液氮作为制冷剂。
12.根据权利要求1或2所述的存储器设备,
所述第二温度控制机构包括使用了帕尔贴元件的电子冷却机构,该电子冷却机构设置在保持所述半导体晶片的第一部分、与所述第一部分连结的第二部分、或者所述储料器整体上。
13.根据权利要求3所述的存储器设备,
所述探测器具有刷新机构,所述刷新机构用稀有气体或惰性气体将所述半导体晶片的周围密封,并通过所述第一温度控制机构使所述半导体晶片在所述载物台上升温。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造