[发明专利]用于数字应用和射频应用的半导体结构和制造这种结构的工艺在审
| 申请号： | 201980092652.3 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113454769A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | Y·莫兰迪尼;W·施瓦岑巴赫;F·阿利贝尔;E·德博内;B-Y·阮 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12;H01L21/84;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及多层绝缘体上半导体结构(1)，所述多层绝缘体上半导体结构(1)从结构的背面到正面连续地包括：具有高电阻率的半导体载体衬底(2)、第一电绝缘层(3)、中间层(I)、第二电绝缘层(5)、活性半导体层(6)，所述半导体载体衬底(2)的电阻率介于500Q.cm至30kQ.cm之间，所述第二电绝缘层(5)的厚度小于所述第一电绝缘层(3)的厚度，所述多层结构的特征在于其包括：至少一个FD‑SOI区域，其中，所述中间层(I)为半导体层(4)；与FD‑SOI区域相邻的至少一个RF‑SOI区域，其中，所述中间层(I)为第三电绝缘层(7)，所述RF‑SOI区域包括与第三电绝缘层(7)垂直的至少一个射频组件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 数字 应用 射频 半导体 结构 制造 这种 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
