[发明专利]在具有堆叠存储器阵列的存储器中的驱动器放置有效
| 申请号： | 201980089136.5 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN113302739B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘海涛;卡迈勒·M·考尔道;G·S·桑胡;S·D·唐;合田晃;徐丽芳 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L29/792;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器可具有堆叠存储器阵列，所述堆叠存储器阵列可具有存储器单元的多个层级。存储器单元的每一相应层级可共同耦合到相应存取线。多个驱动器可位于所述堆叠存储器阵列上方。每一相应驱动器可具有单晶半导体，其具有耦合到相应存取线的导电区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 堆叠 存储器 阵列 中的 驱动器 放置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
