[发明专利]在具有堆叠存储器阵列的存储器中的驱动器放置

权利要求书

1.一种存储器，其包括：

堆叠存储器阵列，其包括存储器单元的多个层级，存储器单元的每一相应层级共同耦合到相应存取线；及

多个驱动器，其位于所述堆叠存储器阵列上方；

其中每一相应驱动器包括单晶半导体鳍片，所述单晶半导体鳍片包括耦合到相应存取线的导电区域；且

其中：

所述导电区域是所述单晶半导体鳍片的第一部分中的第一源极/漏极；

所述单晶半导体鳍片进一步包括：第二源极/漏极，其位于所述单晶半导体鳍片的第二部分中；及

沟道区域，其位于第一部分与第二部分之间的所述单晶半导体鳍片的第三部分中；及

每一相应驱动器包括包绕所述沟道区域的栅极。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中每一相应存取线形成阶梯结构的相应梯级且所述多个驱动器直接位于所述阶梯结构上方。

3.根据权利要求1所述的存储器，其进一步包括所述堆叠存储器阵列与所述单晶半导体鳍片之间的电介质。

4.根据权利要求1所述的存储器，其中所述栅极由所述多个驱动器共有。

5.根据权利要求1所述的存储器，其中所述第二源极/漏极经耦合以接收存取信号以存取共同耦合到所述相应存取线的所述存储器单元。

6.根据权利要求1所述的存储器，其中所述第二源极/漏极耦合到所述堆叠存储器阵列下方的逻辑电路系统。

7.根据权利要求1所述的存储器，其中所述第二源极/漏极耦合到所述堆叠存储器阵列上方的逻辑电路系统。

8.根据权利要求1所述的存储器，其中每一相应驱动器包括所述栅极与所述沟道区域之间的栅极电介质。

9.根据权利要求1所述的存储器，其中所述栅极包括多晶硅及金属中的至少一者。

10.一种存储器，其包括：

堆叠存储器阵列，其包括阶梯结构，所述阶梯结构包括分别共同耦合到存储器单元的多个层级的存储器单元的相应层级的相应存取线梯级；

多个单晶半导体鳍片，其位于所述阶梯结构上方的层级处，每一相应单晶半导体鳍片直接位于相应梯级上方，每一相应单晶半导体鳍片包括：

第一源极/漏极，其耦合到所述相应梯级；

第二源极/漏极，其经耦合以接收用于存取存储器单元的所述相应层级的信号；及

沟道区域，其介于所述第一源极/漏极与所述第二源极/漏极之间；及

栅极，其共同耦合到所述多个单晶半导体鳍片的所述沟道区域。

11.根据权利要求10所述的存储器，其进一步包括每一沟道区域与所述栅极之间的栅极电介质，所述栅极电介质将所述栅极耦合到每一沟道区域。

12.根据权利要求11所述的存储器，其中所述栅极及所述栅极电介质包绕所述鳍片的部分。

13.根据权利要求10所述的存储器，其中所述第一源极/漏极及所述第二源极/漏极具有第一导电电平；且每一相应单晶半导体鳍片进一步包括所述第一源极/漏极与所述沟道区域之间及所述第二源极/漏极与所述沟道区域之间的导电区域，所述导电区域具有低于所述第一导电电平的第二导电电平。