[发明专利]在具有堆叠存储器阵列的存储器中的驱动器放置

说明书

一种存储器可具有堆叠存储器阵列，所述堆叠存储器阵列可具有存储器单元的多个层级。存储器单元的每一相应层级可共同耦合到相应存取线。多个驱动器可位于所述堆叠存储器阵列上方。每一相应驱动器可具有单晶半导体，其具有耦合到相应存取线的导电区域。

技术领域

本发明本公开大体上涉及电子系统(例如存储器系统)，且更特定来说，本公开涉及具有堆叠存储器阵列的存储器中的驱动器放置。

背景技术

存储器系统可实施于例如计算机、蜂窝式电话、手持电子装置等等的电子系统中。一些存储器系统(例如固态硬盘(SSD)、嵌入式多媒体控制器(eMMC)装置、通用快闪存储(UFS)装置及其类似者)可包含用于存储来自主机的主机(例如用户)数据的非易失性存储存储器。非易失性存储存储器通过在未被供电时保存所存储的数据来提供持久数据，且可包含NAND闪存、NOR闪存、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)及电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(PCRAM)、三维交叉点存储器(例如3D XPoint)、电阻随机存取存储器(RRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM))及可编程导电存储器及其它类型的存储器。

存储器可包含存储器阵列，其可包含存储器单元的群组，例如块、子块、串等等。在一些实例中，存储器阵列可为堆叠存储器阵列，其可称为三维存储器阵列，例如三维NAND存储器阵列。例如，堆叠存储器阵列中的共同位置处(例如共同垂直层级处)的存储器单元可形成存储器单元的层级，有时称为存储器单元的阶层。每一相应层级处的存储器单元可在相应层级处共同耦合到相应共同存取线，例如字线。在一些实例中，相应层级处的相应存取线可形成阶梯结构的梯级。来自不同层级的存储器单元可经串联耦合以形成耦合到源极的选择晶体管与耦合到数据线(例如位线)的选择晶体管之间的串联耦合存储器单元串(例如NAND串)。

发明内容

本公开的实施例提供一种存储器，其包括：堆叠存储器阵列，其包括存储器单元的多个层级，存储器单元的每一相应层级共同耦合到相应存取线；及多个驱动器，其位于所述堆叠存储器阵列上方；其中每一相应驱动器包括单晶半导体鳍片，所述单晶半导体鳍片包括耦合到相应存取线的导电区域；且其中：所述导电区域是所述单晶半导体鳍片的第一部分中的第一源极/漏极；所述单晶半导体鳍片进一步包括：第二源极/漏极，其位于所述单晶半导体鳍片的第二部分中；及沟道区域，其位于第一部分与第二部分之间的所述单晶半导体鳍片的第三部分中；且每一相应驱动器包括包绕所述沟道区域的栅极。

本公开的另一实施例提供一种存储器，其包括：堆叠存储器阵列，其包括阶梯结构，所述阶梯结构包括分别共同耦合到存储器单元的多个层级的存储器单元的相应层级的相应存取线梯级；多个单晶半导体鳍片，其位于所述阶梯结构上方的层级处，每一相应单晶半导体鳍片直接位于相应梯级上方，每一相应单晶半导体鳍片包括：第一源极/漏极，其耦合到所述相应梯级；第二源极/漏极，其经耦合以接收用于存取存储器单元的所述相应层级的信号；及沟道区域，其介于所述第一源极/漏极与所述第二源极/漏极之间；及栅极，其共同耦合到所述沟道区域。

本公开的又一实施例提供一种存储器，其包括：堆叠存储器阵列，其包括多个块，每一相应块包括存储器单元的多个层级，存储器单元的每一相应层级共同耦合到多个存取线的相应存取线，每一存取线形成所述相应块的阶梯结构的相应梯级，使得所述相应块的所述阶梯结构分别具有共同层级处的梯级；多个单晶半导体，其位于所述阶梯结构上方的层级处，使得相应单晶半导体结构由所述共同层级中的每一者处的所述梯级共有；其中每一相应单晶半导体包括：第一源极/漏极，其耦合到所述共同层级处的所述梯级中的每一者；第二源极/漏极，其介于所述共同层级处的所述梯级之间；及沟道区域，其位于所述第二源极/漏极与所述第一源极/漏极之间的所述共同层级处的所述梯级中的每一者上方，使得沟道区域位于每一相应块的每一相应梯级上方；及相应栅极，其共同耦合到每一相应块的每一相应梯级上方的所述沟道区域。