[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序在审
| 申请号： | 201980088596.6 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN113316836A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 出贝求;中谷公彦;中川崇;早稻田崇之 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;C23C16/02;C23C16/455;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 牛蔚然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 具有下述工序：(a)在第1温度下，向表面露出有第1基底和第2基底的衬底供给吸附抑制剂，并使之吸附于第1基底及第2基底中的一者的基底的表面的工序；(b)在比第1温度高的第2温度下，对一者的基底的表面吸附吸附抑制剂后的衬底进行热退火的工序；(c)在比第2温度低的第3温度下，向热退火后的衬底供给成膜气体，从而在第1基底及第2基底中的与一者的基底不同的另一者的基底的表面上形成膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 程序 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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