[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：

(a)在第1温度下，向表面露出有第1基底和第2基底的衬底供给吸附抑制剂、使该吸附抑制剂吸附于所述第1基底及所述第2基底中的一者的基底的表面的工序；

(b)在比所述第1温度高的第2温度下，对使所述吸附抑制剂吸附于所述一者的基底的表面后的所述衬底进行热退火的工序；和

(c)在比所述第2温度低的第3温度下，向所述热退火后的所述衬底供给成膜气体，从而在所述第1基底及所述第2基底中的与所述一者的基底不同的另一者的基底的表面上形成膜的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，在抑制所述吸附抑制剂向所述另一者的基底的表面吸附的同时，使所述吸附抑制剂吸附于所述一者的基底的表面。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述吸附抑制剂不发生气相分解的条件下进行(a)。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，(a)中的所述吸附抑制剂向所述一者的基底的表面吸附的吸附状态包含物理吸附。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，使所述吸附抑制剂向所述一者的基底的表面吸附的吸附状态转为化学吸附。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，使所述吸附抑制剂向所述一者的基底的表面吸附的吸附状态转变为比(a)中的所述吸附抑制剂向所述一者的基底的表面吸附的吸附状态稳定的吸附状态。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(c)中，不在所述一者的基底的表面上形成所述膜，而在所述另一者的基底的表面上形成所述膜。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述衬底的表面还露出有第3基底，

在(a)中，使所述吸附抑制剂吸附于所述第3基底的表面。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，(a)中的所述吸附抑制剂向所述第3基底的表面吸附的吸附状态包含化学吸附。

10.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，(a)中的所述吸附抑制剂向所述第3基底的表面吸附的吸附状态为比(a)中的所述吸附抑制剂向所述一者的基底的表面吸附的吸附状态稳定的吸附状态。

11.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，在(c)中，不在所述一者的基底的表面上及所述第3基底的表面上形成所述膜，而在所述另一者的基底的表面上形成所述膜。

12.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第1基底包含不含氧的含金属元素膜，所述第2基底包含不含氧的含半金属元素膜，所述第3基底包含含氧膜。

13.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第1基底包含导电性的含金属元素膜，所述第2基底包含氮化膜，所述第3基底包含氧化膜。

14.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第1基底包含含过渡金属膜，所述第2基底包含含有硅及氮的膜，所述第3基底包含含有硅及氧的膜。

15.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中，所述一者的基底为所述第2基底，所述另一者的基底为所述第1基底。

16.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第1基底包含不含氧的含金属元素膜，所述第2基底包含不含氧的含半金属元素膜。