[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序

说明书

具有下述工序：(a)在第1温度下，向表面露出有第1基底和第2基底的衬底供给吸附抑制剂，并使之吸附于第1基底及第2基底中的一者的基底的表面的工序；(b)在比第1温度高的第2温度下，对一者的基底的表面吸附吸附抑制剂后的衬底进行热退火的工序；(c)在比第2温度低的第3温度下，向热退火后的衬底供给成膜气体，从而在第1基底及第2基底中的与一者的基底不同的另一者的基底的表面上形成膜的工序。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序。

背景技术

作为半导体器件的制造工序的一工序，存在进行选择性地在衬底的表面露出的多种基底中的特定基底的表面上生长并形成膜的处理(以下，也将该处理称为选择生长或选择成膜)的情况(例如参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-243193号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于提供能够简化半导体器件的制造工序的技术。

用于解决课题的手段

本发明的一方案提供进行下述工序的技术：

(a)在第1温度下，向表面露出有第1基底和第2基底的衬底供给吸附抑制剂、使该吸附抑制剂吸附于所述第1基底及所述第2基底中的一者的基底的表面的工序；

(b)在比所述第1温度高的第2温度下，对使所述吸附抑制剂吸附于所述一者的基底的表面后的所述衬底进行热退火的工序；和

(c)在比所述第2温度低的第3温度下，向所述热退火后的所述衬底供给成膜气体，从而在所述第1基底及所述第2基底中的与所述一者的基底不同的另一者的基底的表面上形成膜的工序。

发明的效果

根据本发明，能够简化半导体器件的制造工序。

附图说明

图1是本发明一方式中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是以纵剖视图示出处理炉202部分的图。

图2是本发明一方式中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是以图1的A-A线剖视图示出处理炉202部分的图。

图3是本发明一方式中优选使用的衬底处理装置的控制器121的概略构成图，是以框图示出控制器121的图。

图4是示出本发明一方式的选择生长中的处理时序的图。

图5的(a)是表面分别露出有包含钨膜的基底200a、包含硅氮化膜的基底200b及包含硅氧化膜的基底200c的晶片200的表面处的截面局部放大图；图5的(b)是在第1温度下，选择性地使基底200b、200c的表面吸附吸附抑制剂后的晶片200的表面处的截面局部放大图；图5的(c)是在比第1温度高的第2温度下，对吸附抑制剂吸附于基底200b、200c的表面的晶片200进行热退火后的晶片200的表面处的截面局部放大图；图5的(d)在比第2温度低的第3温度下，选择性地在基底200a的表面上形成钛氮化膜后的晶片200的表面处的截面局部放大图。

图6的(a)～图6的(d)分别是示出在露出于晶片表面的第1～第3基底的表面上形成的钛氮化膜的厚度的测定结果的图。

具体实施方式

＜本发明的一个方式＞

以下，主要参照图1～图4说明本发明的一个方式。

(1)衬底处理装置的构成