[发明专利]用于通过局部加热来控制蚀刻深度的方法在审
| 申请号： | 201980081072.4 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN113169099A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 摩根·埃文斯;约瑟夫·C·奥尔森 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306;H01L21/425;H01L21/027;H01L27/15;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容的多个实施方式涉及通过提供在整个基板上的局部加热来控制蚀刻深度的方法。用于控制整个基板上的温度的方法可包括个别地控制设置在基板支承组件的介电主体中的多个加热小单元。多个加热小单元在基板的第一表面上提供温度分布，基板设置在介电主体的支承表面上。温度分布对应于待暴露于离子束的基板的第二表面上至少一个光栅的多个部分。此外，可通过个别地控制发光二极管(LED)阵列的LED来控制温度。将基板暴露于离子束，以在至少一个光栅上形成多个鳍片。至少一个光栅具有对应于温度分布的深度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通过 局部 加热 控制 蚀刻 深度 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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