[发明专利]用于通过局部加热来控制蚀刻深度的方法

权利要求书

1.一种用于控制整个基板的不同区域上的温度的方法，包含以下步骤：

个别地控制设置在基板支承组件的介电主体中的多个加热小单元，所述多个加热小单元在所述基板的第一表面上提供温度分布，所述基板设置在所述介电主体的支承表面上，所述温度分布对应于待暴露于离子束的所述基板的第二表面上至少一个光栅的多个部分；以及

将所述基板暴露于所述离子束，以在所述至少一个光栅上形成多个鳍片，所述至少一个光栅具有对应于所述温度分布的深度分布，其中：

所述温度分布包括在所述至少一个光栅的所述多个部分的第一部分处的第一温度，以及在所述至少一个光栅的所述多个部分的第二部分处的第二温度；以及

所述第一温度不同于所述第二温度。

2.如权利要求1所述的方法，其中至少一个透镜设置在所述基板上。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述至少一个光栅包含光栅材料。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述光栅材料通过图案化的硬模而暴露。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述离子束被构造成以相对于所述基板的表面法线的优化的角度引导至所述基板。

6.一种用于控制整个基板的不同区域上的温度的方法，包含以下步骤：

个别地控制发光二极管(LED)阵列的LED，以在所述基板的表面上提供温度分布，所述温度分布对应于待暴露于离子束的所述基板的所述表面上至少一个光栅的多个部分；以及

将所述基板暴露于所述离子束，以在所述至少一个光栅上形成多个鳍片，所述至少一个光栅具有对应于所述温度分布的深度分布，其中：

所述温度分布包括在所述至少一个光栅的所述多个部分的第一部分处的第一温度，以及在所述至少一个光栅的所述多个部分的第二部分处的第二温度；以及

所述第一温度不同于所述第二温度。

7.如权利要求6所述的方法，其中至少一个透镜设置在所述基板上。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述至少一个光栅包含光栅材料。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述光栅材料通过图案化的硬模而暴露。

10.一种用于控制整个基板的不同区域上的温度的方法，包含以下步骤：

个别地控制设置在基板支承组件的介电主体中的多个加热小单元，所述多个加热小单元在所述基板的第一表面上提供温度分布，所述基板设置在所述介电主体的支承表面上，所述温度分布对应于待暴露于离子束的所述基板的第二表面上至少一个光栅的多个部分；

个别地控制发光二极管(LED)阵列的LED，以在所述基板的所述第二表面上提供温度分布，所述温度分布对应于待暴露于离子束的所述基板的所述表面上至少一个光栅的多个部分；以及

将所述基板暴露于所述离子束，以在所述至少一个光栅上形成多个鳍片，所述至少一个光栅具有对应于所述温度分布的深度分布，其中：

所述温度分布包括在所述至少一个光栅的所述多个部分的第一部分处的第一温度，以及在所述至少一个光栅的所述多个部分的第二部分处的第二温度；以及

所述第一温度不同于所述第二温度。

11.如权利要求10所述的方法，其中至少一个透镜设置在所述基板上。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述至少一个光栅包含光栅材料。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述光栅材料通过图案化的硬模而暴露。

14.如权利要求10所述的方法，其中所述离子束被构造成以相对于所述基板的表面法线的优化的角度引导至所述基板。

15.如权利要求10所述的方法，进一步包含以下步骤：通过致动器使所述基板倾斜。