[发明专利]磁传感器及磁传感器的制造方法在审
| 申请号： | 201980080046.X | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN113167840A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 筱龙德;远藤大三 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02;H01L43/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;唐峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁传感器(1)具备非磁性的基板(10)和感应元件(31)，所述感应元件(31)具备层叠于基板上的多个软磁体层(105){下层软磁体层(105a)、上层软磁体层(105b)}、以及层叠于多个软磁体层之间且导电性比软磁体层高的导电体层(106)，所述感应元件(31)具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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