[发明专利]磁传感器及磁传感器的制造方法

权利要求书

1.磁传感器，其具备：

非磁性的基板；和

感应元件，所述感应元件具备层叠于所述基板上的多个软磁体层、和层叠于多个该软磁体层之间且导电性比该软磁体层高的导电体层，所述感应元件具有长边方向和短边方向，在与该长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场。

2.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述感应元件的各个所述软磁体层具有由反磁场抑制层带来的反铁磁性耦合结构，所述反磁场抑制层由Ru或Ru合金构成。

3.如权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，所述感应元件具有多个所述导电体层。

4.如权利要求1至3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，还具备薄膜磁铁，所述薄膜磁铁层叠于所述基板与所述感应元件的所述软磁体层之间，由硬磁体构成且在面内方向上具有磁各向异性，

所述感应元件的所述长边方向朝向所述薄膜磁铁所产生的磁场的方向。

5.如权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，还具备一对磁轭，所述一对磁轭以与所述感应元件的所述长边方向的端部相对的方式层叠于所述薄膜磁铁上，以该薄膜磁铁所产生的磁通沿该长边方向透过该感应元件的方式进行诱导，

所述磁轭具备多个所述软磁体层和层叠于该软磁体层之间的所述导电体层。

6.磁传感器的制造方法，其包括下述工序：

薄膜磁铁形成工序，在非磁性的基板上形成薄膜磁铁，所述薄膜磁铁由包含Co的硬磁体形成且磁各向异性被控制在面内方向；和

感应元件形成工序，在所述基板上交替地层叠多个软磁体层和导电性比该软磁体层高的导电体层从而形成感应元件，所述感应元件在与所述薄膜磁铁所产生的磁通透过的方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性。