[发明专利]磁传感器及磁传感器的制造方法

说明书

磁传感器(1)具备非磁性的基板(10)和感应元件(31)，所述感应元件(31)具备层叠于基板上的多个软磁体层(105){下层软磁体层(105a)、上层软磁体层(105b)}、以及层叠于多个软磁体层之间且导电性比软磁体层高的导电体层(106)，所述感应元件(31)具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场。

技术领域

本发明涉及磁传感器及磁传感器的制造方法。

背景技术

作为公报中记载的现有技术，存在下述磁阻抗效应元件，其具备：在非磁性基板上形成的薄膜磁铁，所述薄膜磁铁由硬磁体膜形成；将上述薄膜磁铁的上方覆盖的绝缘层；和在上述绝缘层上形成的感磁部，所述感磁部由一个或多个长方形的软磁体膜形成，且被赋予了单轴各向异性(参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-249406号公报

发明内容

发明要解决的课题

另一方面，对于具备通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件的磁传感器而言，供给至感应元件的电流为高频区域的情况下，有时灵敏度降低。例如，在具备通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件的磁传感器中，为了提高灵敏度，有时将感应元件的长度加长、或者将感应元件的数量增多。然而，即使将磁传感器感应元件的长度加长、或者将数量增多，虽然低频区域中的灵敏度提高，但高频区域中的灵敏度降低，有时也无法获得所期望的灵敏度。

本发明的目的在于，在利用磁阻抗效应的磁传感器中，抑制供给的电流为高频区域时的灵敏度的降低。

用于解决课题的手段

应用本发明的磁传感器具备非磁性的基板和感应元件，所述感应元件具备层叠于上述基板上的多个软磁体层、和层叠于多个该软磁体层之间且导电性比该软磁体层高的导电体层，所述感应元件具有长边方向和短边方向，在与该长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场。

此处，上述感应元件的特征可在于，各个上述软磁体层具有由反磁场抑制层带来的反铁磁性耦合结构，所述反磁场抑制层由Ru或Ru合金构成。

另外，上述感应元件的特征可在于，具有多个上述导电体层。

此外，其特征可在于，还具备薄膜磁铁，所述薄膜磁铁层叠于上述基板与上述感应元件的上述软磁体层之间，由硬磁体构成且在面内方向上具有磁各向异性，上述感应元件的上述长边方向朝向上述薄膜磁铁所产生的磁场的方向。

另外，其特征可在于，还具备一对磁轭，所述一对磁轭以与上述感应元件的上述长边方向的端部相对的方式层叠于上述薄膜磁铁上，以该薄膜磁铁所产生的磁通沿该长边方向透过该感应元件的方式进行诱导，上述磁轭具备多个上述软磁体层和层叠于该软磁体层之间的上述导电体层。

另外，从其他观点考虑，应用本发明的磁传感器的制造方法包括下述工序：薄膜磁铁形成工序，在非磁性的基板上形成薄膜磁铁，所述薄膜磁铁由包含Co的硬磁体形成且磁各向异性被控制在面内方向；和感应元件形成工序，在上述基板上交替地层叠多个软磁体层和导电性比该软磁体层高的导电体层从而形成感应元件，所述感应元件在与上述薄膜磁铁所产生的磁通透过的方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性。

发明的效果

根据本发明，在利用磁阻抗效应的磁传感器中，能够抑制供给的电流为高频区域时的灵敏度的降低。

附图说明

[图1](a)～(b)为对应用实施方式1的磁传感器的一例进行说明的图。

[图2]为对在磁传感器的感应部中的感应元件的长边方向上施加的磁场与感应部的阻抗的关系进行说明的图。