[发明专利]用于提高穿衬底通孔结构的可靠性的多孔阻挡层及其形成方法

摘要

第一半导体器件、第一介电材料层、多孔介电材料层和形成在第二介电材料层内的金属互连结构形成在第一半导体衬底的前侧表面上。形成延伸穿过该第一半导体衬底和该第一介电材料层的通孔腔。该通孔腔在该多孔介电材料层上停止。在其中没有任何实心材料的连续孔网络从该通孔腔的底部连续地延伸至该金属互连结构的表面。穿衬底通孔结构形成在该通孔腔中。该穿衬底通孔结构包括多孔金属材料部分，该多孔金属材料部分填充该连续孔网络并且接触该金属互连结构的表面部分。可通过使用该多孔金属材料部分而使对该第一半导体器件的蚀刻损伤和金属颗粒生成最少化。