[发明专利]红外线传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201980059015.6 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112703609A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 宫永昭治;伊藤哲二 | 申请（专利权）人： | NS材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;G01J1/02 |
| 代理公司： | 北京瑞盟知识产权代理有限公司 11300 | 代理人： | 刘昕;孟祥海 |
| 地址： | 日本国福冈县*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的目的在于提供一种优化了量子点的红外线传感器。本发明的特征在于，具备吸收红外线的光吸收层(5)的红外线传感器(1)，所述光吸收层含有多个球状量子点(21)。或者，本发明的特征在于，具备吸收红外线的光吸收层的红外线传感器，所述光吸收层含有多个量子点，所述量子点含有PbS、PbSe、CdHgTe、Ag |
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| 搜索关键词： | 红外线 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
