[发明专利]红外线传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201980059015.6 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112703609A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 宫永昭治;伊藤哲二 | 申请（专利权）人： | NS材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;G01J1/02 |
| 代理公司： | 北京瑞盟知识产权代理有限公司 11300 | 代理人： | 刘昕;孟祥海 |
| 地址： | 日本国福冈县*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红外线 传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种红外线传感器，其特征在于，具备吸收红外线的光吸收层，
所述光吸收层含有多个量子点，
所述量子点为球状。
2.一种红外线传感器，其特征在于，具备吸收红外线的光吸收层，
所述光吸收层含有多个量子点，
所述量子点含有PbS、PbSe、CdHgTe、Ag2S、Ag2Se、Ag2Te、AgInSe2、AgInTe2、CuInSe2、CuInTe2、InAs之中至少任意1种。
3.一种红外线传感器，其特征在于，具备吸收红外线的光吸收层，
所述光吸收层含有多个量子点，
所述量子点是通过液相合成而形成的。
4.根据权利要求2或3所述的红外线传感器，其特征在于，
所述量子点为球状。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的红外线传感器，其特征在于，
以涂覆的方式形成了含有所述量子点的量子点层。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的红外线传感器，其特征在于，
所述光吸收层中所含有的所述量子点的配体短于通过所述液相合成而形成时的所述量子点的所述配体。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的红外线传感器，其特征在于，
所述红外线传感器含有光电元件或者热电元件。
8.一种红外线传感器的制造方法，其特征在于，所述红外线传感器具备吸收红外线的光吸收层，
所述红外线传感器的制造方法包括：
通过液相合成法来形成量子点的工序；以及
涂覆含有多个所述量子点的组合物来形成所述光吸收层的工序；。
9.根据权利要求8所述的红外线传感器的制造方法，其特征在于，
通过所述液相合成法来合成量子点之后，将所述量子点的配体置换成短的配体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
