[发明专利]红外线传感器及其制造方法在审
申请号: | 201980059015.6 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN112703609A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 宫永昭治;伊藤哲二 | 申请(专利权)人: | NS材料株式会社 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;G01J1/02 |
代理公司: | 北京瑞盟知识产权代理有限公司 11300 | 代理人: | 刘昕;孟祥海 |
地址: | 日本国福冈县*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外线 传感器 及其 制造 方法 | ||
本发明的目的在于提供一种优化了量子点的红外线传感器。本发明的特征在于,具备吸收红外线的光吸收层(5)的红外线传感器(1),所述光吸收层含有多个球状量子点(21)。或者,本发明的特征在于,具备吸收红外线的光吸收层的红外线传感器,所述光吸收层含有多个量子点,所述量子点含有PbS、PbSe、CdHgTe、Ag2S、Ag2Se、Ag2Te、AgInSe2、AgInTe2、CuInSe2、CuInTe2、InAs中至少任意1种。
技术领域
本发明涉及一种可检测红外线的红外线传感器及其制造方法。
背景技术
下述专利文献1中公开了与量子点型红外线检测器相关的发明。专利文献1中记载的红外线检测器具备层压结构,该层压结构具有由多个量子点构成的量子点层、和夹进量子点层的中间层。
根据专利文献1,多个量子点被微细加工成岛状。量子点由InAs形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-162478号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而,如专利文献1那样,在将多个量子点微细加工成岛状的红外线传感器中,微细加工调节以及制造工序的复杂化、进而制造成本的上升都容易成为问题。
此外,因微细加工成岛状的量子点的成长程度等会引起灵敏度降低、不规则方面的担心。
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供一种优化了量子点的红外线传感器及其制造方法。
用于解决课题的手段
本发明为具备吸收红外线的光吸收层的红外线传感器,其特征在于,所述光吸收层含有多个量子点,所述量子点为球状。
此外,本发明为具备吸收红外线的光吸收层的红外线传感器的制造方法,其特征在于,具有:通过液相合成法来形成量子点的工序;涂覆含有多个所述量子点的组合物而形成所述光吸收层的工序。
发明效果
根据本发明的红外线传感器,能够优化含有量子点的光吸收层的结构。
附图说明
图1为具备本实施方式的红外线传感器的红外线摄像装置的立体图。
图2为本实施方式的红外线传感器的部分剖视图。
图3为与图2部分不同的、本实施方式的红外线传感器的部分剖视图。
图4为本实施方式中的量子点的示意图。
图5为与图2部分不同的、本实施方式的红外线传感器的部分剖视图。
图6为具备本实施方式的红外线传感器的红外线摄像装置的部分放大剖视图。
图7为表示本实施方式的光电转换元件的一个示例的部分剖视图。
图8为表示本实施方式的光电转换元件的一个示例的部分剖视图。
图9为使用核壳结构的量子点的情况下的能级图。
具体实施方式
以下,对本发明的一个实施方式(以下简称为“实施方式”)进行详细说明。另外,本发明并不局限于以下的实施方式,可以在其主旨的范围内实施各种变形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的