[发明专利]半导体试样的检查装置及检查方法在审

专利信息
申请号: 201980055964.7 申请日: 2019-06-05
公开(公告)号: CN112639494A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 岩城吉刚;中嶋裕司;山田俊毅 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: G01R31/302 分类号: G01R31/302;H01L21/66
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;黄浩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的检查装置(1)具备参考信号输出部(24)、噪声去除部(25)、及电气特性测定部(27)。参考信号输出部(24)与半导体试样(S)电并联连接于外部电源装置(2),且输出与外部电源装置(2)的输出相应的参考信号。噪声去除部(25)基于参考信号,输出从自半导体试样(S)输出的电流信号中去除外部电源装置(2)的输出的噪声成分的噪声去除信号。电气特性测定部(27)基于噪声去除信号,测定半导体试样(S)的电气特性。检查装置(1)测定由外部电源装置(2)施加电压且受光照射及扫描的半导体试样(S)的电气特性。检查装置(1)基于电气特性,输出半导体试样(S)的缺陷部位。
搜索关键词: 半导体 试样 检查 装置 方法
【主权项】:
暂无信息
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