[发明专利]半导体试样的检查装置及检查方法

说明书

本发明的检查装置(1)具备参考信号输出部(24)、噪声去除部(25)、及电气特性测定部(27)。参考信号输出部(24)与半导体试样(S)电并联连接于外部电源装置(2)，且输出与外部电源装置(2)的输出相应的参考信号。噪声去除部(25)基于参考信号，输出从自半导体试样(S)输出的电流信号中去除外部电源装置(2)的输出的噪声成分的噪声去除信号。电气特性测定部(27)基于噪声去除信号，测定半导体试样(S)的电气特性。检查装置(1)测定由外部电源装置(2)施加电压且受光照射及扫描的半导体试样(S)的电气特性。检查装置(1)基于电气特性，输出半导体试样(S)的缺陷部位。

技术领域

本发明关于一种半导体试样的检查装置及检查方法。

背景技术

已知有一种半导体试样的检查装置，其使用OBIRCH(Optical Beam InducedResistance Change：光束感应电阻变化)法，检查半导体试样的缺陷部位(例如专利文献1)。检查装置基于对半导体试样施加电压而自半导体试样输出的电流信号，测定伴随激光束的照射及扫描的半导体试样的电气特性。检查装置基于测定的电气特性，检查半导体试样的缺陷部位。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开平6-300824号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

使用OBIRCH法的半导体试样的检查装置中，若自半导体试样输出的电流信号的强度提高，则伴随激光束的照射及扫描的半导体试样的电气特性的变化量提高。该电气特性的变化量愈提高，半导体试样的缺陷部位的检查精度也愈提高。因此，谋求供给于半导体试样的电力的提高。然而，使用OBIRCH法的检查装置中，激光束的照射及扫描、显微镜部的动作、及测定结果的图像处理等各种功能需要电力。因此，可供给于半导体试样的电力有限。

为提高供给于半导体试样的电力，考虑自外部电源装置而非检查装置的内部电源对半导体试样供给电力。然而，使用外部电源装置的情形时，有因外部电源装置引起的常态噪声(例如开关噪声)混入自半导体试样输出的电流信号中的担忧。若噪声混入自半导体试样输出的电流信号中，则噪声的影响也波及半导体试样的电气特性的测定结果。因此，即使通过外部电源装置供给至半导体试样的电力提高，也因噪声的影响而有半导体试样的缺陷部位的检查精度降低的担忧。

本发明的一形态的目的在于，提供一种可提高半导体试样的缺陷部位的检查精度的半导体试样的检查装置。本发明的其他形态的目的在于，提供一种可提高半导体试样的缺陷部位的检查精度的半导体试样的检查方法。

[解决问题的技术手段]

本发明的一形态的半导体试样的检查装置具备参考信号输出部、噪声去除部、及电气特性测定部。参考信号输出部与半导体试样电并联连接于外部电源装置。参考信号输出部输出与外部电源装置的输出相应的参考信号。噪声去除部基于参考信号，输出从通过外部电源装置施加电压而自半导体试样输出的电流信号中去除外部电源装置的输出的噪声成分的噪声去除信号。电气特性测定部基于噪声去除信号，测定半导体试样的电气特性。检查装置测定由外部电源装置施加电压且受光照射及扫描的半导体试样的电气特性，基于该电气特性而输出半导体试样的缺陷部位。

上述一形态中，检查装置具备与半导体试样电并联连接于外部电源装置、且输出与外部电源装置的输出相应的参考信号的参考信号输出部。噪声去除部基于该参考信号，输出从通过外部电源装置施加电压而自半导体试样输出的表示电流信号的被检信号中去除外部电源装置的输出的噪声的噪声去除信号。电气特性测定部基于噪声去除信号，测定半导体试样的电气特性。因此，上述检查装置可同时实现使用外部电源装置提高供给至半导体试样的电力、及减少噪声对半导体试样的电气特性的测定结果造成的影响。其结果，可提高半导体试样的缺陷部位的检查精度。