[发明专利]半导体试样的检查装置及检查方法

权利要求书

1.一种半导体试样的检查装置，其具备：

参考信号输出部，其与所述半导体试样电并联而连接于外部电源装置，且输出与所述外部电源装置的输出相应的参考信号；

噪声去除部，其基于所述参考信号，输出从通过所述外部电源装置施加电压而自所述半导体试样输出的电流信号中去除所述外部电源装置的输出的噪声成分的噪声去除信号；及

电气特性测定部，其基于所述噪声去除信号，测定所述半导体试样的电气特性，

所述检查装置测定由所述外部电源装置施加电压且受光照射及扫描的所述半导体试样的电气特性，基于该电气特性而输出所述半导体试样的缺陷部位。

2.如权利要求1所述的半导体试样的检查装置，其中，

所述参考信号输出部电串联连接于与所述半导体试样电并联连接于所述外部电源装置的参考构件，将以通过所述外部电源装置施加电压而自所述参考构件输出的电流信号为基础的信号，作为所述参考信号输出。

3.如权利要求1所述的半导体试样的检查装置，其中，

所述参考信号输出部将从自所述外部电源装置输出的电流信号中去除直流电流成分的信号，作为所述参考信号输出。

4.如权利要求3所述的半导体试样的检查装置，其中，

进一步具备：

电容器，其与所述半导体试样电并联连接于所述外部电源装置，且与参考信号输出部电串联连接。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体试样的检查装置，其中，

具备：

被检信号输出部，其输出将自所述半导体试样输出的所述电流信号转换成电压信号的被检信号，

所述参考信号输出部将使来自所述外部电源装置的电流信号转换成电压信号的信号，作为所述参考信号输出，

所述噪声去除部将由所述被检信号与所述参考信号的差量构成的信号，作为所述噪声去除信号输出。

6.如权利要求1至4中任一项所述的半导体试样的检查装置，其中，

所述参考信号输出部将与所述外部电源装置的输出相应的电流信号反相的信号，作为所述参考信号输出；

所述噪声去除部具有：加算部，其对自所述半导体试样输出的所述电流信号加上所述参考信号；及放大部，其将通过所述加算部相加的信号放大。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体试样的检查装置，其中，

所述噪声去除部与所述电气特性测定部电性隔离，且经由变压器、光耦合器、或继电器而连接。

8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体试样的检查装置，其中，

所述参考信号输出部及所述噪声去除部的至少一者通过自与所述外部电源装置的地线连接的浮动电路供给的电力而动作。

9.一种半导体试样的检查方法，其包括：

通过外部电源装置对所述半导体试样施加电压；

对通过所述外部电源装置施加电压的半导体试样，照射及扫描光；

取得以通过所述外部电源装置施加电压而自所述半导体试样输出的电流信号为基础的被检信号；

取得自与所述半导体试样电并联连接于所述外部电源装置的参考信号输出部与所述外部电源装置的输出相应而输出的参考信号；

基于所述参考信号，产生自所述被检信号去除所述外部电源装置的输出噪声的噪声去除信号；

基于所述噪声去除信号，测定所述半导体试样的电气特性；及

基于所述半导体试样的电气特性，输出所述半导体试样的缺陷部位。

10.如权利要求9所述的半导体试样的检查方法，其中，

进一步包括：

将参考构件与所述半导体试样电并联连接于所述外部电源装置，且电串联连接于所述参考信号输出部；

所述参考信号为以通过所述外部电源装置施加电压而自所述参考构件输出的电流信号为基础的信号。