[发明专利]双极结型晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201980044499.7 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN112368844A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | S·格科特佩里;P·V·科勒夫;P·G·科莱克 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/732;H01L21/331;H01L21/683;H01L21/74;H01L21/762;H01L21/768;H01L23/48;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种双极结型晶体管(BJT)包括发射极、集电极、以及发射极和集电极之间的基极。BJT还包括发射极接触，其位于BJT的第一侧上；基极接触，其位于BJT的第一侧上；以及集电极接触，其位于BJT的第二侧上。BJT还包括深沟槽隔离(DTI)区域，其从BJT的第一侧延伸到BJT的第二侧。 | ||
| 搜索关键词： | 双极结型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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