[发明专利]双极结型晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种双极结型晶体管(BJT)，包括发射极；集电极；基极，所述基极位于所述发射极与所述集电极之间；发射极接触，所述发射极接触位于所述BJT的第一侧上；基极接触，所述基极接触位于所述BJT的所述第一侧上；集电极接触，所述集电极接触位于所述BJT的第二侧上，其中所述第二侧与所述第一侧相对；以及深度沟槽隔离(DTI)区域，所述DTI区域从所述BJT的所述第一侧延伸到所述BJT的所述第二侧。

2.根据权利要求1所述的BJT，还包括沟槽互连，所述沟槽互连从所述BJT的所述第一侧延伸穿过所述DTI区域到达所述BJT的所述第二侧；以及沟槽互连接触，所述沟槽互连接触位于所述BJT的所述第二侧上，其中所述沟槽互连将所述发射极接触和所述基极接触中的至少一个接触耦合到所述沟槽互连接触。

3.根据权利要求1所述的BJT，还包括漂移区，所述漂移区位于所述基极与所述集电极之间。

4.根据权利要求1所述的BJT，还包括发射极接触层，所述发射极接触层位于所述BJT的所述第一侧上；基极接触层，所述基极接触层位于所述BJT的所述第一侧上；以及集电极接触层，所述集电极接触层位于所述BJT的所述第二侧上。

5.根据权利要求4所述的BJT，还包括隔离结构，所述隔离结构将所述发射极接触层与所述基极接触层分开。

6.根据权利要求5所述的BJT，其中所述隔离结构包括浅沟槽隔离(STI)区域。

7.根据权利要求5所述的BJT，其中所述隔离结构包括虚设多晶硅结构。

8.根据权利要求4所述的BJT，其中所述发射极接触层、所述基极接触层和所述集电极接触层包括硅化物。

9.根据权利要求1所述的BJT，其中所述BJT为异质结双极晶体管(HBT)。

10.根据权利要求1所述的BJT，被集成到选自由以下各项组成的所述组的设备中：机顶盒；娱乐单元；导航设备；通信设备；固定位置数据单元；移动位置数据单元；全球定位系统(GPS)设备；移动电话；蜂窝电话；智能电话；会话发起协议(SIP)电话；平板电脑；平板手机；服务器；计算机；便携式计算机；移动计算设备；可穿戴式计算设备；台式计算机；个人数字助理(PDA)；监视器；计算机监视器；电视；调谐器；收音机；卫星收音机；音乐播放器；数字音乐播放器；便携式音乐播放器；数字视频播放器；视频播放器；数字视频光盘(DVD)播放器；便携式数字视频播放器；汽车；车辆部件；航空电子系统；以及无人驾驶飞机。

11.一种用于制造双极结型晶体管(BJT)的方法，包括：

在半导体衬底上形成发射极、集电极、以及所述发射极与所述集电极之间的基极；以及

在所述半导体衬底的第一侧上形成发射极接触层、发射极接触、基极接触层和基极接触；

形成深沟槽隔离(DTI)区域，所述DTI区域从所述半导体衬底的所述第一侧延伸到所述半导体衬底的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对；

在所述半导体衬底的所述第一侧上形成第一电介质层；

将处理衬底键合到所述第一电介质层；

将所述DTI区域和所述集电极暴露在所述半导体衬底的所述第二侧上；

在所述半导体衬底的所述第二侧上形成集电极接触层和集电极接触；

形成穿过所述DTI区域的沟槽互连，所述沟槽互连从所述半导体衬底的所述第一侧延伸到所述半导体衬底的所述第二侧；以及

在所述半导体衬底的所述第二侧上形成第二电介质层。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：在所述半导体衬底的所述第一侧上形成隔离结构，其中所述隔离结构将所述发射极接触层与所述基极接触层分开。