[发明专利]双极结型晶体管及其制造方法

说明书

一种双极结型晶体管(BJT)包括发射极、集电极、以及发射极和集电极之间的基极。BJT还包括发射极接触，其位于BJT的第一侧上；基极接触，其位于BJT的第一侧上；以及集电极接触，其位于BJT的第二侧上。BJT还包括深沟槽隔离(DTI)区域，其从BJT的第一侧延伸到BJT的第二侧。

本专利申请要求于2018年7月3日提交的题为“双极结型晶体管及其制造方法”的非临时申请号16/027,002的优先权，该临时申请转让给本发明的受让人并且在此通过引用明确并入本文。

技术领域

本公开的某些方面一般涉及双极结型晶体管(BJT)，并且更具体地涉及具有背侧接触的BJT。

背景技术

双极结型晶体管(BJT)是一种半导体设备，其具有由两个p-n结分开的三个掺杂半导体区域。三个半导体区域包括发射极、集电极以及发射极与集电极之间的基极。在BJT中，电流同时由电子和空穴携带。BJT广泛用于放大器和开关。

图1图示了示例性BJT 100。BJT 100包括P型半导体衬底102、N型集电极104、N型发射极108、以及N型集电极104与N型发射极之间的P型基极106。BJT 100还包括二氧化硅(SiO₂)层110以及分别用于N型集电极104、P型基极106和N型发射极108的三个接触112、114和116。三个接触112、114和116都位于BJT 100的第一侧上。为了使N型集电极104中的载流子行进到接触112，它们必须水平和垂直行进。因此，P型基极106、N型集电极104和P型半导体衬底102之间形成寄生PNP晶体管。该寄生PNP晶体管可能影响BJT 100的性能。为了防止寄生PNP晶体管的形成，BJT 100会在集成电路上占据很大面积，从而使其与设计要求不兼容。因此，需要开发一种具有紧凑尺寸并且没有寄生晶体管的BJT。

发明内容

本公开的某些方面提供了一种双极结型晶体管(BJT)。BJT可以包括发射极、集电极、以及发射极与集电极之间的基极。BJT还可以包括在BJT的第一侧上的发射极接触、在BJT的第一侧上的基极接触、以及在BJT的第二侧上的集电极接触，其中第二侧与第一侧相对。BJT还可以包括深沟槽隔离(DTI)区，该DTI区从BJT的第一侧延伸到BJT的第二侧。

本公开的某些方面提供一种用于制造双极结型晶体管(BJT)的方法。该方法可以包括：在半导体衬底上形成发射极、集电极以及发射极与集电极之间的基极。该方法还可以包括：在半导体衬底的第一侧上形成发射极接触层、发射极接触、基极接触层和基极接触。该方法还可以包括：形成深沟槽隔离(DTI)区，该DTI区域从半导体衬底的第一侧延伸到半导体衬底的第二侧，该第二侧与第一侧相对。该方法还可以包括：在半导体衬底的第一侧上形成第一电介质层，并且将处理衬底键合到第一电介质层。该方法还可以包括：在半导体衬底的第二侧上暴露DTI区域和集电极，并且在半导体衬底的第二侧上形成集电极接触层和集电极接触。该方法还可以包括：形成穿过DTI区域的沟槽互连，该沟槽互连从半导体衬底的第一侧延伸到半导体衬底的第二侧。该方法还可以包括：在半导体衬底的第二侧上形成第二电介质层。

这已经相当广泛地概述了本公开的特征和技术优点，以便可以更好地理解以下的具体实施方式。下文对本公开的附加特征和优点进行描述。本领域技术人员应当领会，本公开可以容易用作修改或设计用于实现本公开的相同目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应当认识到，这样的等同构造没有背离如所附权利要求书中所阐述的本公开的教导。当结合附图考虑时，根据以下描述更好地理解就其组织和操作方法而言被认为是本公开的特点的新颖特征以及其他目的和优点。然而，要清楚理解，提供附图中的每个附图仅出于说明和描述的目的，并不旨在作为对本公开的限制的定义。

附图说明

图1图示了示例性双极结型晶体管(BJT)；

图2图示了根据本公开的某些方面的没有寄生晶体管的示例性BJT；