[发明专利]基体真空处理设备及其方法在审
| 申请号： | 201980032477.9 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN112074943A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | G·范布伦;D·佐齐;C·艾格利 | 申请（专利权）人： | 瑞士艾发科技 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 巫琴珠;王玮 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于基体的真空处理设备，其包括真空处理装置（3）。输入负载锁装置（1i）朝向真空处理装置（3）引导并且引导到真空处理装置（3）中，并且输出负载锁装置（1o）从真空处理装置（3）引导出来。两个负载锁装置（1i，1o）中的一个（1i）包括串联的至少两个负载锁（10ai，10bi），所述至少两个负载锁（10ai，10bi）分别由泵（12ai，12bi）来泵送。 | ||
| 搜索关键词： | 基体 真空 处理 设备 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
