[发明专利]基体真空处理设备及其方法在审
| 申请号: | 201980032477.9 | 申请日: | 2019-04-30 |
| 公开(公告)号: | CN112074943A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
| 发明(设计)人: | G·范布伦;D·佐齐;C·艾格利 | 申请(专利权)人: | 瑞士艾发科技 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 巫琴珠;王玮 |
| 地址: | 瑞士特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基体 真空 处理 设备 及其 方法 | ||
一种用于基体的真空处理设备,其包括真空处理装置(3)。输入负载锁装置(1i)朝向真空处理装置(3)引导并且引导到真空处理装置(3)中,并且输出负载锁装置(1o)从真空处理装置(3)引导出来。两个负载锁装置(1i,1o)中的一个(1i)包括串联的至少两个负载锁(10ai,10bi),所述至少两个负载锁(10ai,10bi)分别由泵(12ai,12bi)来泵送。
在真空处理基体的领域,通常例如从环境大气经由输入负载锁装置朝向真空处理装置运送未处理的基体,该真空处理装置包括真空运输室,所述真空运输室供应多个处理室。在处理室中,基体经受一种或多于一种真空处理,例如经受蚀刻,经受层积等。一经处理,基体通过真空运输室并且经由输出负载锁装置被移出到环境大气。借助于相应的输入运送器装置和输出运送器装置将基体运送通过相应的输入负载锁装置和输出负载锁装置。
由此,相应的负载锁装置可以是单向的,即输入负载锁由仅朝向真空处理装置运送基体的输入运送器装置作用,且输出负载锁装置由仅从真空处理装置运送基体的输出运送器装置作用。备选地,可以提供双向负载锁装置,其由既朝向真空处理装置又从真空处理装置运送基体的运送器装置作用。相应的输入负载锁装置和输出负载锁装置通常由相应的单个负载锁实现。
定义:
在本说明和权利要求中,关于术语“负载锁”,我们理解为一室,在操作中,所述室被可操作地连接到泵并且具有用于基体的至少一个输入阀和用于基体的至少一个输出阀。负载锁阀中的一个可控制地将室的内部大气从处于一个压力的大气分开,负载锁阀中的另一个将室的内部大气从处于不同的、另外的压力的大气分开。
本发明的一目的是提供备选的真空处理设备以及真空处理基体或制造真空处理的基体的方法。
根据本发明,此目的由基体真空处理设备解决,所述基体真空处理设备包括用于至少一个基体的真空处理装置。真空处理装置包括真空运输室,所述真空运输室供应多个处理室。提供了输入负载锁装置,其与输入运送器装置协作,并且将基体运送到真空运输室。因此,在输入运送的方向看,此输入负载锁装置跨接较高压力的大气(例如环境大气)到较低压力的大气(真空运输室中的真空压力)。
进一步提供了输出负载锁装置,其与从真空运输室出来的输出运送器装置协作。因此,在输出运送的方向看,此输出负载锁装置跨接较低压力的大气(即真空运输室中的真空压力)和较高压力的大气(例如环境大气)。
由此,沿着相应的运送机装置的运送通路考虑,输入负载锁装置和输出负载锁装置中的至少一个包括串联的至少两个负载锁。此至少一个负载锁装置在真空运输室和环境大气之间互相连接。
因此,“负载锁定”朝向真空运输室和/或从真空运输室出来的基体是通过随后跨接更小的压力差来执行的,所述更小的压力差是相比于由相应的单个负载锁“总体”负载锁装置要跨接的差更小的压力差。
这带来以下优点:相应的负载锁可以借助于特定地被选择用于在如要被由所考虑的负载锁跨接的压力范围内操作的泵来泵送。例如沿着与环境大气相通的输入负载锁装置考虑,第一负载锁可以由粗泵来泵送,而随后的负载锁可以由高真空泵(如涡轮分子泵)来泵送。
由于以下事实,设备的通量可以被提高,所述事实为:相比于要被由单个负载锁实现的相应负载锁装置跨接的压力差,要被至少两个负载锁跨接的压力差降低了。这带来减短的泵送时间和减短的压力均衡时间。此外,在相应装置处的至少两个负载锁的容积可以被最小化,这附加地减短了泵送时间和压力均衡时间。
通过再分在至少两个负载锁中的输入负载锁装置和输出负载锁装置中的至少一个,所达到的进一步的优点是,基体比在单个负载锁负载锁装置中暴露于更低压力(尤其暴露于真空压力)更长的时间跨度。当基体朝向真空运输室被供应或当基体从真空处理装置的真空运输室被供应时,这改善了基体调整(conditioning)。
在根据本发明的设备的一个实施方式中,沿着相应的运送机装置的运送通路,输入负载锁装置和输出负载锁装置各自包括串联的至少两个负载锁。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





