[发明专利]肖特基势垒二极管在审
| 申请号： | 201980024311.2 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN112005384A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 有马润;藤田实;平林润;佐佐木公平 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社;株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/41;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种难以产生电场集中引起的绝缘破坏的肖特基势垒二极管，具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层30肖特基接触的阳极电极(40)、与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时包围阳极电极(40)的外周沟道(10)，外周沟道(10)利用漂移层(30)的逆导电型的半导体材料(11)而埋入。这样，如果设置利用漂移层(30)的逆导电型的半导体材料(11)埋入的外周沟道(10)，则电场由于外周沟道(10)的存在而被分散。由此，能够缓和阳极电极(40)的角部的电场集中，因此，难以产生绝缘破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 | ||
【主权项】：
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