[发明专利]肖特基势垒二极管在审
| 申请号： | 201980024311.2 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN112005384A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 有马润;藤田实;平林润;佐佐木公平 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社;株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/41;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 | ||
1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，具备：
半导体基板，其由氧化镓构成；
漂移层，其设置于所述半导体基板上并由氧化镓构成；
阳极电极，其与所述漂移层肖特基接触；
阴极电极，其与所述半导体基板欧姆接触，
所述漂移层具有在俯视时包围所述阳极电极的外周沟道，
所述外周沟道利用所述漂移层的逆导电型的半导体材料而埋入。
2.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，
所述漂移层还具有多个中心沟道，其设置于在俯视时与所述阳极电极重叠的位置。
3.根据权利要求2所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，
所述多个中心沟道的内壁被绝缘膜覆盖。
4.根据权利要求2或3所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，
还具备绝缘层，该绝缘层设置于所述漂移层上，并具有使所述漂移层的一部分露出的开口部，
所述阳极电极经由所述开口部与所述漂移层肖特基接触，并且形成于位于所述开口部的周缘的所述绝缘层上。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，
所述外周沟道的宽度比所述中心沟道的宽度宽。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，
所述外周沟道和距所述外周沟道最近的所述中心沟道之间的台面宽度比所述多个中心沟道间的台面宽度小。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，
所述逆导电型的半导体材料为氧化物半导体。
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