[发明专利]掩模粘接剂及具备其的防护膜组件在审
| 申请号： | 201980022922.3 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111919170A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 美谷岛恒明;种市大树 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;C09J11/06;C09J123/02;C09J125/04;C09J133/04;C09J153/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;郭玫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种在进行曝光的温度范围内容易塑性变形，在掩模剥离后基本不存在残胶，操作性良好且不易使防护膜的雾度上升的掩模粘接剂。解决所述课题的掩模粘接剂包含：在频率1Hz的条件下测定的损耗角正切显示最大值的温度为‑20℃～30℃的热塑性弹性体(A)100质量份、增粘树脂(B)20质量份～150质量份及加工油(C)20质量份～150质量份。加工油(C)中，石蜡烃碳的比例(％CP)与环烷烃碳的比例(％CN)的合计为50％以上。掩模粘接剂在频率1Hz的条件下测定的损耗角正切显示最大值的温度为‑10℃～30℃，且硫含量为300μg/g以下。 | ||
| 搜索关键词： | 掩模粘接剂 具备 防护 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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