[发明专利]掩模粘接剂及具备其的防护膜组件

说明书

本发明的课题在于提供一种在进行曝光的温度范围内容易塑性变形，在掩模剥离后基本不存在残胶，操作性良好且不易使防护膜的雾度上升的掩模粘接剂。解决所述课题的掩模粘接剂包含：在频率1Hz的条件下测定的损耗角正切显示最大值的温度为‑20℃～30℃的热塑性弹性体(A)100质量份、增粘树脂(B)20质量份～150质量份及加工油(C)20质量份～150质量份。加工油(C)中，石蜡烃碳的比例(％CP)与环烷烃碳的比例(％CN)的合计为50％以上。掩模粘接剂在频率1Hz的条件下测定的损耗角正切显示最大值的温度为‑10℃～30℃，且硫含量为300μg/g以下。

技术领域

本发明涉及一种用以将防护膜组件粘接于掩模的粘接剂及具备所述粘接剂的防护膜组件。

背景技术

在大规模集成电路(Large Scale Integrated circuit，LSI)、超LSI等半导体装置或液晶显示板等的制造工序中，通过隔着掩模(也称为曝光原板(exposure originalplate)、光罩(reticle))对感光层等照射光来进行图案化。此时，若异物附着于掩模，则光被异物吸收，或在异物表面光发生反射而弯曲。其结果，产生如下问题：所形成的图案发生变形或边缘变得粗糙而损及图案化后的尺寸、质量及外观等。为了消除这些问题，采用如下方法：在掩模的表面安装具备透射光的防护膜的防护膜组件来抑制异物的附着。

防护膜组件通常包括金属制的防护膜框架、以及配置于该防护膜框架的一端面的防护膜。另一方面，在防护膜框架的另一端面形成有用以将防护膜组件固定于掩模的掩模粘接剂层。而且，在将防护膜组件安装于掩模时，将该掩模粘接剂层压接于掩模的预定位置来进行固定。

此处，作为用以将防护膜组件粘接于掩模的掩模粘接剂，提出有含有苯乙烯/异戊二烯/苯乙烯系三嵌段共聚物的氢化物及增粘剂的粘接剂(参照专利文献1)。另外，还提出有含有苯乙烯/乙烯-丙烯/苯乙烯三嵌段共聚物及脂肪族系石油树脂的热熔粘接剂(参照专利文献2)。进而，还提出有含有含(甲基)丙烯酸烷基酯的嵌段共聚物及(氢化)石油树脂等增粘树脂的粘着剂(参照专利文献3)。另外，还提出有包含苯乙烯系三嵌段共聚物、增粘树脂及软化剂的粘接剂(专利文献4)。

但是，为了使半导体元件高集成化，需要将所形成的图案微细化。即，为了使大量的半导体元件集成于窄面积内，需要尽可能减小半导体元件的大小。因此，需要减小图案的宽度及相邻的图案彼此的间隔(间距)。然而，通过光刻来形成图案的方法存在解析极限，因此在图案的微细化方面存在极限。

作为克服这些光刻工序中的解析极限的方法，已知有双图案化(DoublePatterning)。双图案化为如下技术：将一个电路图案分割成两个密集度低的图案，分别进行曝光而形成，并将所形成的两个图案加以组合，从而最终获得密集度高的微细图案(参照专利文献5及专利文献6)。双图案化可优选地应用于22nm这一代(半间距：32nm)以后的下一代半导体的制造。

双图案化中，通常使用两片掩模进行两次曝光。因此，重要的是提高所形成的两个图案彼此的相对的位置精度。即，在通过第一次曝光而获得的图案与通过第二次曝光而获得的图案的相对的位置精度低的情况下，无法获得所期望的图案。因此，需要以纳米(nm)水平减小所形成的两个图案的相对的位置偏移。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2000-267261号公报

[专利文献2]日本特开平4-237056号公报

[专利文献3]日本特开平11-323072号公报

[专利文献4]国际公开第2012/004951号

[专利文献5]日本特开2008-103718号公报

[专利文献6]日本特开2008-103719号公报

发明内容