[发明专利]多晶硅破碎块及其制造方法有效
| 申请号： | 201980022636.7 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111936418B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 西村茂树 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;B02C25/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本山口*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在多晶硅破碎块中，对于源自破坏工具的材质而不可避免地产生污染的钨、钴，能一起高度地去除。一种多晶硅破碎块，其特征在于，表面金属浓度为15.0pptw以下，优选为7.0～13.0pptw，所述表面金属浓度中，表面钨浓度为0.9pptw以下，优选为0.40～0.85pptw，并且表面钴浓度为0.3pptw以下，优选为0.04～0.08pptw。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 破碎 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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