[发明专利]多晶硅破碎块及其制造方法有效
| 申请号： | 201980022636.7 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111936418B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 西村茂树 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;B02C25/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本山口*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 破碎 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅破碎块的制造方法，其中，所述多晶硅破碎块的表面金属浓度为9.20pptw以下，所述表面金属浓度中，表面钨浓度为0.72pptw以下，并且表面钴浓度为0.04pptw以下，所述制造方法包括以下工序：
a)多晶硅棒的破碎工序；
b)第一清洗工序，使所得到的多晶硅棒的破碎块与氢氟酸硝酸水溶液接触，其中，所述第一清洗工序中的各多晶硅破碎块表面的蚀刻量为3～7.5μm；
c)第二清洗工序，使经过第一清洗工序的多晶硅破碎块的清洗物与包含过氧化氢的四甲基氢氧化铵水溶液接触；
d)第三清洗工序，使经过第二清洗工序的多晶硅破碎块的清洗物与氢氟酸硝酸水溶液接触。
2.根据权利要求1所述的多晶硅破碎块的制造方法，其中，
在a)多晶硅棒的破碎工序中，对于该破碎使用打击部的材质由碳化钨/钴合金构成的破坏工具。
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