[发明专利]非晶碳层的打开处理在审
| 申请号： | 201980011696.9 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN111684567A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 秦策;谭忠魁;毛伊莎;金艳莎;奥斯汀·凯西·福西特 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于打开在硬掩模下方的非晶碳层掩模的方法。打开非晶碳层掩模包括：执行一个或多个循环，其中每个循环包括非晶碳层掩模的打开阶段和清洁阶段。所述非晶碳层掩模的打开阶段包括：使打开气体流入等离子体处理室，其中所述打开气体包括含氧组分；由所述打开气体产生等离子体，所述等离子体在所述非晶碳层掩模中蚀刻特征；以及停止所述打开气体的流动。所述清洁阶段包括：使清洁气体流入所述等离子体处理室，其中所述清洁气体包括含氢组分、含碳组分和含卤素组分；由所述清洁气体产生等离子体；以及停止所述清洁气体流入等离子处理室。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶碳层 打开 处理 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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