[发明专利]非晶碳层的打开处理

权利要求书

1.一种用于打开在硬掩模下方的非晶碳层掩模的方法，其包括在等离子体处理室中执行一个或多个循环，其中每个循环包括：

非晶碳层掩模的打开阶段，其包括：

使打开气体流入等离子体处理室，其中所述打开气体包括含氧组分；

在所述等离子体处理室中由所述打开气体产生等离子体，其中所述等离子体在所述非晶碳层掩模中蚀刻特征；以及

停止所述打开气体流入所述等离子体处理室；和

清洁阶段，其包括：

使清洁气体流入所述等离子体处理室，其中所述清洁气体包括含氢组分、含碳组分和含卤素组分；

在所述等离子体处理室中由所述清洁气体产生等离子体；以及

停止所述清洁气体流入所述等离子处理室。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含氢组分、所述含碳组分和所述含卤素组分基本上由至少一种氢氟烃组成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述至少一种氢氟烃是CHF₃、CH₂F₂和CH₃F中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶碳层掩模的打开阶段在所述非晶碳层掩模中的特征上形成重新沉积的硬掩模，并且其中所述清洁阶段去除所述重新沉积的硬掩模并将含碳层沉积在所述非晶碳层掩模中的所述特征的侧壁上。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述硬掩模包含硅或金属，其中，所述重新沉积的硬掩模包含硅或金属。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述硬掩模包括SiON、SiO₂、SiN、Si、金属，经掺杂的碳或经掺杂的Si中的至少一种，其中，所述重新沉积的硬掩模包含硅或金属。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洁阶段还包括提供幅值大于500伏的偏压。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述偏压是脉冲式的，并且具有在约3％至约99％之间的占空比。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述非晶碳层掩模的打开阶段还包括提供幅值小于1500伏的脉冲偏压。

10.根据权利要求1所述的方法，其还包括在所述非晶碳层掩模的打开阶段以及在所述清洁阶段，将所述非晶碳层的掩模保持在至少20℃的温度。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述打开气体包括氧气和COS或SO₂。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洁阶段还包括提供幅值大于1000伏的脉冲偏压。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述脉冲偏压的占空比在约20％至约80％之间。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述非晶碳层掩模的打开阶段还包括提供幅值小于1000伏的脉冲偏压。

15.根据权利要求1所述的方法，其还包括在所述非晶碳层掩模的打开阶段以及在所述清洁阶段，将所述非晶碳层的掩模保持在至少25℃的温度。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述打开气体是无卤素的，并且其中，所述清洁气体是无氧的。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述打开所述非晶碳层掩模打开具有小于约300nm的CD的特征。