[发明专利]非晶碳层的打开处理

说明书

提供了一种用于打开在硬掩模下方的非晶碳层掩模的方法。打开非晶碳层掩模包括：执行一个或多个循环，其中每个循环包括非晶碳层掩模的打开阶段和清洁阶段。所述非晶碳层掩模的打开阶段包括：使打开气体流入等离子体处理室，其中所述打开气体包括含氧组分；由所述打开气体产生等离子体，所述等离子体在所述非晶碳层掩模中蚀刻特征；以及停止所述打开气体的流动。所述清洁阶段包括：使清洁气体流入所述等离子体处理室，其中所述清洁气体包括含氢组分、含碳组分和含卤素组分；由所述清洁气体产生等离子体；以及停止所述清洁气体流入等离子处理室。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年2月5日提交的美国申请No.62/626,264的优先权，其全部内容通过引用并入本发明。

技术领域

本公开涉及一种在半导体晶片上形成半导体器件的方法。更具体地，本公开涉及在半导体器件的形成中打开非晶碳层。

背景技术

在形成半导体器件中，形成孔。在存储器器件中，可以形成高深宽比的存储器孔。非晶碳层掩模可用作蚀刻高深宽比存储器孔的掩模。

发明内容

为了实现前述目的并且根据本公开的目的，提供了一种用于打开在硬掩模下方的非晶碳层掩模的方法。打开在硬掩模下方的非晶碳层掩模包括：在等离子体处理室中执行一个或多个循环，其中每个循环包括非晶碳层掩模的打开阶段和清洁阶段。所述非晶碳层掩模的打开阶段包括：使打开气体流入等离子体处理室，其中所述打开气体包括含氧组分；在所述等离子体处理室中由所述打开气体产生等离子体，其中所述等离子体在所述非晶碳层掩模中蚀刻特征；以及停止所述打开气体流入所述等离子体处理室。所述清洁阶段包括：使清洁气体流入所述等离子体处理室，其中所述清洁气体包括含氢组分、含碳组分和含卤素组分；在所述等离子体处理室中由所述清洁气体产生等离子体；以及停止所述清洁气体流入等离子处理室。

本公开的这些和其他特征将下文在实施方案的详细描述中并结合下面的附图更详细地描述。

附图说明

本公开在附图中的图形是通过举例的方式而不是通过限制的方式示出，其中相同的附图标记表示类似的元件，并且其中：

图1是实施方案的高阶流程图。

图2示意性示出了可在一实施方案中使用的蚀刻室的示意图。

图3是可用于实践一实施方案的计算机系统的示意图。

图4A-D是根据一实施方案处理的堆叠件的示意性截面图。

图5A是堆叠件的一部分的俯视图。

图5B是堆叠件的截面图

图6是打开阶段的更详细的流程图。

图7是清洁阶段的更详细的流程图。

具体实施方式

所提供的实施方案现在将参照如附图中所示的其几个优选的实施方式详细描述。在下面的描述中，阐述了许多具体细节以便彻底理解本公开。然而，对本领域的技术人员将显而易见的是，在没有这些具体细节中的部分或所有的情况下可以实现本公开。在其他情况下，没有详细描述众所周知的处理步骤和/或结构，以避免不必要地使本公开难以理解。

图1是一实施方案的高级流程图。在该实施方案中，将具有非晶碳层掩模的堆叠件放置在等离子体处理室中(步骤104)。非晶碳是非晶体碳材料。非晶碳层掩模利用掩模打开(步骤108)，其包括单步打开处理，或者打开阶段和清洁阶段的一个循环，或者打开阶段(步骤112)和清洁阶段(步骤116)的多个循环。可以提供附加的处理步骤(步骤120)。形成存储器孔，并且将堆叠件从等离子体处理室移除(步骤124)。

实施例