[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980011621.0 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN111684585A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 河野一郎 | 申请（专利权）人： | 青井电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H05K3/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 丁文蕴;杜嘉璐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置的制造方法，包括以下各步骤：准备在主面侧形成有剥离层的支撑基板；在支撑基板上的比剥离层更靠上的位置，局部地形成布线层；以使半导体芯片的垫与布线层电连接的方式将半导体芯片配置在支撑基板上；形成包括布线层及半导体芯片并且与支撑基板上的剥离层或者比该剥离层更靠上的层接触的密封层，且在支撑基板上形成包括半导体芯片、布线层以及密封层在内的中间层叠体；在形成中间层叠体后，切断支撑基板的周边部；以及以剥离层为边界，从切断周边部后的支撑基板机械式地剥离中间层叠体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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