[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供半导体装置的制造方法，包括以下各步骤：准备在主面侧形成有剥离层的支撑基板；在支撑基板上的比剥离层更靠上的位置，局部地形成布线层；以使半导体芯片的垫与布线层电连接的方式将半导体芯片配置在支撑基板上；形成包括布线层及半导体芯片并且与支撑基板上的剥离层或者比该剥离层更靠上的层接触的密封层，且在支撑基板上形成包括半导体芯片、布线层以及密封层在内的中间层叠体；在形成中间层叠体后，切断支撑基板的周边部；以及以剥离层为边界，从切断周边部后的支撑基板机械式地剥离中间层叠体。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置的制造方法。

背景技术

对于所谓的后芯片型(chip-last)(RDL-first型)的半导体装置而言，在暂时使用的临时支撑基板上形成布线层及绝缘层，配置半导体芯片并进行模制，之后经由除去临时支撑基板的工序来制造上述半导体装置。临时支撑基板的除去通过从模制出的半导体芯片、布线层以及绝缘层(以下将它们统称为中间层叠体)机械式地剥下并分离临时支撑基板来进行。

专利文献1中公开一种印刷布线板(半导体装置)的制造方法，该方法使用在表面上具备紧贴金属层、剥离层、防反射层以及极薄铜层并由玻璃构成的载体(支撑基板)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第6203988号公报

发明内容

发明所要解决的课题

专利文献1中公开以下方法：遍及支撑基板的整个面，一并从支撑基板剥离形成在支撑基板(载体)上的中间层叠体。

但是，对于支撑基板的周边部而言，由于成膜条件不稳定，所以难以以稳定的膜厚对布线层、绝缘层进行成膜，并且在用于在周边部形成布线层的电镀工序中，需要使供电机构(供电用电极)接触，由此容易产生伤痕等。

因此，当也包括支撑基板上的周边部在内地进行剥离时，因布线层及绝缘层的不均匀性、伤痕的原因，有在周边部产生剥离不均的担忧。而且，周边部的剥离不均也对形成有模制出半导体芯片和布线层的中间层叠体的基板的中央部分的剥离产生负面影响，从而有使中间层叠体以及包括该中间层叠体的半导体装置的成品率降低的担忧。

用于解决课题的方案

(1)本发明的第1方案的半导体装置的制造方法包括以下各步骤：准备在主面侧形成有剥离层的支撑基板；在上述支撑基板上的比上述剥离层更靠上的位置，局部地形成布线层；以使半导体芯片的垫的至少一部分与上述布线层的至少一部分电连接的方式将上述半导体芯片配置在上述支撑基板上；形成包括上述布线层的至少一部分以及上述半导体芯片并且与上述支撑基板上的上述剥离层或者比上述剥离层更靠上的层接触的密封层，在上述支撑基板上，形成包括上述半导体芯片、上述布线层及上述密封层的中间层叠体；在形成上述中间层叠体后，切断上述支撑基板的周边部；以及以上述剥离层为边界，从切断上述周边部后的上述支撑基板机械式地剥离上述中间层叠体。

(2)本发明的第2方案的半导体装置的制造方法根据第1方案所述的半导体装置的制造方法，优选为，上述支撑基板的上述周边部的上述切断包括以下各步骤：在上述支撑基板的周边部形成割断预定线；在与上述割断预定线对应的位置处，从上述支撑基板的主面侧切断形成在上述支撑基板上的上述剥离层及上述密封层；以及沿上述割断预定线割断上述支撑基板的周边部。

(3)本发明的第3方案的半导体装置的制造方法根据第2方案所述的半导体装置的制造方法，优选为，上述割断预定线的形成通过在上述支撑基板的背面形成切割线来进行。

(4)本发明的第4方案的半导体装置的制造方法根据第3方案所述的半导体装置的制造方法，优选为，上述切割线的形成在上述支撑基板上形成上述中间层叠体之后进行。