[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下各步骤：

准备在主面侧形成有剥离层的支撑基板；

在上述支撑基板上的比上述剥离层更靠上的位置，局部地形成布线层；

以使半导体芯片的垫的至少一部分与上述布线层的至少一部分电连接的方式将上述半导体芯片配置在上述支撑基板上；

形成包括上述布线层的至少一部分以及上述半导体芯片并且与上述支撑基板上的上述剥离层或者比上述剥离层更靠上的层接触的密封层，在上述支撑基板上，形成包括上述半导体芯片、上述布线层及上述密封层的中间层叠体；

在形成上述中间层叠体后，切断上述支撑基板的周边部；以及

以上述剥离层为边界，从切断上述周边部后的上述支撑基板机械式地剥离上述中间层叠体。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述支撑基板的上述周边部的上述切断包括以下各步骤：

在上述支撑基板的周边部形成割断预定线；

在与上述割断预定线对应的位置处，从上述支撑基板的主面侧切断形成在上述支撑基板上的上述剥离层及上述密封层；以及

沿上述割断预定线割断上述支撑基板的周边部。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述割断预定线的形成通过在上述支撑基板的背面形成切割线来进行。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述切割线的形成在上述支撑基板上形成上述中间层叠体之后进行。

5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述切割线的形成在上述支撑基板上形成上述布线层之前进行。

6.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述割断预定线的形成通过在形成上述剥离层之前在上述支撑基板的主面形成切割线来进行。

7.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述割断预定线的形成通过在上述支撑基板的内部形成与其它部分相比强度较弱的部分来进行。

8.根据权利要求1至7任一项中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

作为上述支撑基板，使用在上述主面从基板侧依次形成有金属层、上述剥离层、薄铜层的支撑基板。

9.根据权利要求1至7任一项中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

进行多次上述布线层的形成，来形成多层布线型的布线层。

10.根据权利要求1至7任一项中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述支撑基板上，多个并列地形成上述中间层叠体，而且一体地从上述支撑基板剥离上述多个并列地形成的上述中间层叠体，并且在上述剥离后，分别切断上述中间层叠体。

11.根据权利要求1至7任一项中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述中间层叠体中配置多个上述半导体芯片。

12.根据权利要求1至7任一项中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述中间层叠体中，与上述半导体芯片一起配置被动零件。