[发明专利]溅射成膜装置有效
| 申请号： | 201980006240.3 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111417741B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 阪上弘敏;大野哲宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;闫小龙 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了能够在利用磁控管溅射进行成膜时抑制在溅射靶材的外周部中非腐蚀区域的发生的技术。本发明是在真空中利用磁控管溅射法对一个成膜对象物进行成膜的溅射成膜装置。在本发明中，具有：磁控管发生用的磁石装置10，相对于一个溅射靶材7配置在与溅射面7a相反侧，在放电时在沿着该溅射靶材7的溅射面7a的方向上移动；内侧屏蔽部21，接近配置在溅射靶材7的外周部的周围，被设为浮动电位；以及外侧屏蔽部22，设置在该内侧屏蔽部21的周围，被设为接地电位，由导电性材料构成。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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