[发明专利]溅射成膜装置

说明书

本发明提供了能够在利用磁控管溅射进行成膜时抑制在溅射靶材的外周部中非腐蚀区域的发生的技术。本发明是在真空中利用磁控管溅射法对一个成膜对象物进行成膜的溅射成膜装置。在本发明中，具有：磁控管发生用的磁石装置10，相对于一个溅射靶材7配置在与溅射面7a相反侧，在放电时在沿着该溅射靶材7的溅射面7a的方向上移动；内侧屏蔽部21，接近配置在溅射靶材7的外周部的周围，被设为浮动电位；以及外侧屏蔽部22，设置在该内侧屏蔽部21的周围，被设为接地电位，由导电性材料构成。

技术领域

本发明涉及溅射装置，特别地涉及利用磁控管溅射来进行成膜的溅射成膜装置的技术。

背景技术

以往，在磁控管溅射装置中，存在如下那样的问题，即：由于发生磁场的磁石装置的构造，在溅射靶材（以下，适当称为“靶材”。）上产生的磁场变得不均匀，因此，溅射气体的离子集中于磁束密度较高的部分，而使该部分比磁束密度较低的部分更早地被削断。

为了防止在这样的靶材中产生局部地削断的部分（侵蚀），历来，一边使磁石装置移动一边进行溅射。

可是，当使用这样的方式进行溅射时，在由于放电生成的被磁石装置的磁场捕捉的等离子体与电气接地的导电构件相接触的情况下，等离子体中的离子的电荷通过导电构件流向接地部位，而使等离子体消失。为了避免这样的事态，需要使磁石装置在外周磁石的环形的外周整体位于溅射面的外周部的内侧的范围内移动。

其结果是，存在等离子体不会到达靶材的溅射面的外周部而残留未溅射的非侵蚀区域这样的问题。

存在如下那样的问题，即：当溅射粒子附着于这样的靶材的非侵蚀区域时，由于异常放电等而发生剥离，从而成为粒子的发生原因。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-92025号公报。

发明内容

发明要解决的课题

本发明考虑这样的以往的技术课题而完成，其目的在于，提供能够在利用磁控管溅射进行成膜时抑制在溅射靶材的外周部中非侵蚀区域的发生的技术。

用于解决课题的方案

为了达成上述目的而完成的本发明是一种溅射成膜装置，在真空中利用磁控管溅射法对一个成膜对象物进行成膜，其中，具有：磁控管发生用磁石装置，相对于一个溅射靶材配置在与溅射面相反侧，在放电时在沿着该溅射靶材的溅射面的方向上移动；内侧屏蔽部，接近配置在所述溅射靶材的外周部的周围，被设为浮动电位；以及外侧屏蔽部，设置在该内侧屏蔽部的周围，被设为接地电位，由导电性材料构成。

本发明是在所述内侧屏蔽部设置有以覆盖所述溅射靶材的溅射面的方式重叠的重复部的溅射成膜装置。

本发明是所述内侧屏蔽部的重复部遍及所述溅射靶材的溅射面的外周部的全域而设置的溅射成膜装置。

本发明是所述内侧屏蔽部的重复部被设置为与形成为矩形状的所述溅射靶材的相向的一对角部重叠的溅射成膜装置。

本发明是在所述内侧屏蔽部设置有向所述溅射靶材的溅射面的方向突出的突出部的溅射成膜装置。

本发明是所述内侧屏蔽部的突出部遍及所述溅射靶材的溅射面的外周部的全域而设置的溅射成膜装置。

本发明是所述内侧屏蔽部的突出部被设置在形成为矩形状的所述溅射靶材的相向的一对角部的溅射成膜装置。

本发明是所述溅射靶材被形成为其外径比所述成膜对象物的外径大的溅射成膜装置。

发明效果