[发明专利]溅射成膜装置有效
| 申请号： | 201980006240.3 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111417741B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 阪上弘敏;大野哲宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;闫小龙 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 | ||
1.一种溅射成膜装置，在真空中利用磁控管溅射法对一个成膜对象物进行成膜，其中，具有：
磁控管发生用磁石装置，相对于一个溅射靶材配置在与溅射面相反侧，在放电时在沿着该溅射靶材的溅射面的方向上移动；
作为大地屏蔽的外侧屏蔽部，在所述溅射靶材的外周部的周围，与所述外周部相向地设置，被设为接地电位，由导电性材料构成；以及
内侧屏蔽部，被配置在所述外侧屏蔽部和所述溅射靶材之间，接近配置在所述溅射靶材的外周部的周围，被设为浮动电位，
所述内侧屏蔽部遮挡被所述磁控管发生用磁石装置的磁场捕捉的等离子体中的离子的电荷到达并接触所述外侧屏蔽部。
2.根据权利要求1所述的溅射成膜装置，其中，在所述内侧屏蔽部设置有以覆盖所述溅射靶材的溅射面的方式重叠的重复部。
3.根据权利要求2所述的溅射成膜装置，其中，所述内侧屏蔽部的重复部遍及所述溅射靶材的溅射面的外周部的全域而设置。
4.根据权利要求2所述的溅射成膜装置，其中，所述内侧屏蔽部的重复部被设置为与形成为矩形状的所述溅射靶材的相向的一对角部重叠。
5.根据权利要求1所述的溅射成膜装置，其中，在所述内侧屏蔽部设置有向所述溅射靶材的溅射面的方向突出的突出部。
6.根据权利要求5所述的溅射成膜装置，其中，所述内侧屏蔽部的突出部遍及所述溅射靶材的溅射面的外周部的全域而设置。
7.根据权利要求5所述的溅射成膜装置，其中，所述内侧屏蔽部的突出部被设置在形成为矩形状的所述溅射靶材的相向的一对角部。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的溅射成膜装置，其中，所述溅射靶材被形成为其外径比所述成膜对象物的外径大。
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