[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置在审
| 申请号： | 201980006153.8 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111418072A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 今川铁太郎 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体装置的制造方法，通过多个沟槽部、在2个沟槽部之间以第1深度和第1注入量注入第2导电型的掺杂剂而形成的第2导电型的接触区、以及在2个沟槽部之间与接触区在延伸方向上并排地配置的第1导电型的发射区，形成延伸方向上的长度为相邻的2个沟槽部之间的宽度以下，且延伸方向上的发射区的长度比接触区的长度大的单元，在单元的上方形成沟槽部之间的开口宽度比延伸方向上的接触区的长度小的接触孔，以比第1深度浅的第2深度和第1注入量以上的第2注入量在半导体基板的深度方向上注入第2导电型的掺杂剂而形成第2导电型的插塞区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980006153.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
