[发明专利]一种巨量转移装置及其制造方法、以及显示设备有效
| 申请号： | 201980004133.7 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113330549B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 许时渊 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种巨量转移装置的制造方法。该制造方法包括提供涂布有黏着层的中转基板；将发光二极管从原生基板转移至所述中转基板；在所述发光二极管上蚀刻出支撑结构，所述支撑结构包括从所述中转基板上延伸的至少两个支撑柱，所述支撑柱远离所述中转基板的端部与所述发光二极管连接，以使得所述发光二极管与所述中转基板分离设置；去除所述黏着层，以使得所述发光二极管仅通过所述支撑结构固定于所述中转基板。此外，本发明还提供一种巨量转移装置、以及显示设备，所述巨量转移装置包括中转基板；间隔设置于所述中转基板上的发光二极管；设置于所述中转基板并支撑所述发光二极管的支撑结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 巨量 转移 装置 及其 制造 方法 以及 显示 设备 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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