[发明专利]一种巨量转移装置及其制造方法、以及显示设备有效
| 申请号: | 201980004133.7 | 申请日: | 2019-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN113330549B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
| 发明(设计)人: | 许时渊 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强 |
| 地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 巨量 转移 装置 及其 制造 方法 以及 显示 设备 | ||
本发明提供了一种巨量转移装置的制造方法。该制造方法包括提供涂布有黏着层的中转基板;将发光二极管从原生基板转移至所述中转基板;在所述发光二极管上蚀刻出支撑结构,所述支撑结构包括从所述中转基板上延伸的至少两个支撑柱,所述支撑柱远离所述中转基板的端部与所述发光二极管连接,以使得所述发光二极管与所述中转基板分离设置;去除所述黏着层,以使得所述发光二极管仅通过所述支撑结构固定于所述中转基板。此外,本发明还提供一种巨量转移装置、以及显示设备,所述巨量转移装置包括中转基板;间隔设置于所述中转基板上的发光二极管;设置于所述中转基板并支撑所述发光二极管的支撑结构。
技术领域
本发明涉及微型发光二极管技术领域,尤其涉及一种巨量转移装置及其制造方法、以及显示设备。
背景技术
微型发光二极管(micro-LED),即发光二极管微缩化和矩阵化技术,具有良好的稳定性、寿命,以及运行温度上的优势。微型发光二极管还继承了发光二极管低功耗、色彩饱和度高、反应速度快、对比度强等优点。同时,微型发光二极管具有亮度更高、功率消耗量更低等优势。
因此,微型发光二极管未来将具有极大地应用前景,例如微型发光二极管显示屏。但是目前,制造微型发光二极管显示屏最大的瓶颈在于如何使其能够量产化。而实现量产化最有效的方式就是实现选择性巨量转移。传统的选择性巨量转移时,发光二极管通常是用胶材固定于基板。使用这种固定方法,在转移时,发光二极管可能会产生位移,使得发光二极管转移至目标基板后有偏移,不能准确落在设定的位置上。从而影响微型发光二极管显示屏的制造效率。
发明内容
本发明通过在基板与发光二极管之间蚀刻出支撑结构的方法,极大地提高了微型发光二极管显示屏的制造效率。
第一方面,本发明实施例提供一种巨量转移装置,其特征在于,所述巨量转移装置包括:
中转基板;
间隔设置于所述中转基板上的至少一个发光二极管;以及
设置于所述中转基板并支撑所述发光二极管的支撑结构,所述支撑结构包括从所述中转基板上延伸的至少两个支撑柱,所述支撑柱远离所述中转基板的端部与所述发光二极管连接;其中,所述发光二极管与所述中转基板分离设置。
第二方面,本发明实施例提供一种巨量转移装置的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供涂布有黏着层的中转基板;
利用所述黏着层粘附间隔设置于原生基板的发光二极管,以将所述发光二极管从所述原生基板转移至所述中转基板;
形成支撑结构,其中,所述支撑结构包括从所述中转基板上延伸的至少两个支撑柱,所述支撑柱远离所述中转基板的端部与所述发光二极管连接;
去除所述黏着层,以使得所述发光二极管通过所述支撑结构相对于所述中转基板间隔预定距离固定于所述中转基板。
第三方面,本发明实施例提供一种显示设备,所述显示设备包括外壳、设置于外壳内的显示背板,所述显示背板设置有多个发光二极管,所述发光二极管为如上所述的巨量转移装置转移至所述显示背板所形成,其中,所述支撑结构仅有端部保留于所述发光二极管上。
上述巨量转移装置及其制造方法,利用黄光制程与干蚀刻的方法在发光二极管上蚀刻出支撑结构,使得发光二极管牢靠地固定在基板上。在后续选择性巨量转移的过程中,发光二极管不会出现位移等问题,从而提高了转移的准确率。
附图说明
图1a~图1d为本发明实施例提供的巨量转移装置示意图。
图2为本发明实施例提供的巨量转移装置制造方法流程图。
图3为本发明第一实施例提供第一具体实施例的巨量转移装置制造方法过程示意图。
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