[发明专利]一种巨量转移装置及其制造方法、以及显示设备

权利要求书

1.一种巨量转移装置，其特征在于，所述巨量转移装置包括：

中转基板；

间隔设置于所述中转基板上的至少一个发光二极管；以及

设置于所述中转基板并支撑所述发光二极管的支撑结构，所述支撑结构利用黄光制程与干蚀刻的方法在所述发光二极管上蚀刻得到，所述支撑结构包括从所述中转基板上延伸的至少两个支撑柱，所述支撑柱远离所述中转基板的端部与所述发光二极管连接；其中，所述发光二极管与所述中转基板分离设置，所述发光二极管包括朝向所述中转基板的第一端面、与所述第一端面相背设置的第二端面、位于所述第一端面和所述第二端面之间的侧面，所述支撑柱远离所述中转基板的端部固定于所述侧面。

2.如权利要求1所述的巨量转移装置，其特征在于，所述发光二极管包括朝向所述中转基板的第一端面、与所述第一端面相背设置的第二端面、位于所述第一端面和所述第二端面之间的侧面，所述支撑柱远离所述中转基板的端部固定于所述第二端面，所述侧面与所述至少两个支撑柱之间具有间隙。

3.如权利要求1所述的巨量转移装置，其特征在于，所述发光二极管包括半导体功能层，以及分别与所述半导体功能层耦接的第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极均位于所述半导体功能层靠近所述中转基板一侧。

4.如权利要求1所述的巨量转移装置，其特征在于，所述发光二极管包括半导体功能层，以及与所述半导体功能层耦接的第三电极，所述第三电极设置于所述半导体功能层靠近所述中转基板一侧。

5.如权利要求1所述的巨量转移装置，其特征在于，所述支撑柱的材质包括硅、二氧化硅、氮化铝中的至少一种。

6.一种巨量转移装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供涂布有黏着层的中转基板；

利用所述黏着层粘附间隔设置于原生基板的发光二极管，以将所述发光二极管从所述原生基板转移至所述中转基板；

形成支撑结构，所述支撑结构利用黄光制程与干蚀刻的方法在所述发光二极管上蚀刻得到，其中，所述支撑结构包括从所述中转基板上延伸的至少两个支撑柱，所述支撑柱远离所述中转基板的端部与所述发光二极管连接；所述发光二极管包括朝向所述中转基板的第一端面、与所述第一端面相背设置的第二端面、位于所述第一端面和所述第二端面之间的侧面，所述支撑柱远离所述中转基板的端部固定于所述侧面；

去除所述黏着层，以使得所述发光二极管通过所述支撑结构相对于所述中转基板间隔预定距离固定于所述中转基板。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，利用所述黏着层粘附间隔设置于原生基板的发光二极管具体包括：

将所述中转基板盖合于所述原生基板，并通过所述黏着层对所述发光二极管进行粘附拾取；

剥离所述原生基板。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，通过所述黏着层对所述发光二极管进行粘附拾取具体包括：

通过所述黏着层粘附所述发光二极管的第一电极和第二电极以将所述发光二极管转移至所述中转基板，其中，所述发光二极管包括半导体功能层，所述第一电极和所述第二电极分别与所述半导体功能层耦接且均位于所述半导体功能层靠近所述中转基板的一侧。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，通过所述黏着层对所述发光二极管进行粘附拾取还包括：

通过所述黏着层粘附所述发光二极管的第三电极以将所述发光二极管转移至所述中转基板，其中，所述发光二极管包括半导体功能层，所述第三电极与所述半导体功能层耦接且设置于所述半导体功能层靠近所述中转基板的一侧。