[发明专利]闪速存储器件中的编程方法有效
| 申请号： | 201980001938.6 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110678926B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 王瑜;李爽;阮庆;侯春源;汤强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘健;张殿慧 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种对闪速存储器件编程的方法包括：选择多个字线中的第一字线以选定所选字线，所述所选字线对应于目标存储单元；以及执行编程循环。所述编程循环包括对所选字线施加编程电压以及对目标存储单元执行验证。所述验证包括对所选字线施加预脉冲电压，对所述多个字线中的未选字线施加多个越过电压，在施加所述预脉冲电压之后对所选字线施加一系列递增的验证电压，以及在施加预脉冲电压之后对所述多个字线中的第二字线施加浮置电压。所述第二字线与所选字线相邻并且在所选字线之后被编程。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 中的 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对闪速存储器件编程的方法，包括：/n选择多个字线中的第一字线以选定所选字线，所述所选字线对应于目标存储单元；以及/n执行编程循环，包括：/n对所述所选字线施加编程电压；以及/n对所述目标存储单元执行验证，所述验证包括：/n对所述所选字线施加预脉冲电压；/n对所述多个字线中的未选字线施加多个越过电压；/n在施加所述预脉冲电压之后，对所述所选字线施加一系列递增的验证电压；以及/n在施加所述预脉冲电压之后，对所述多个字线中的第二字线施加浮置电压，所述第二字线与所述所选字线相邻并且所述第二字线在所述所选字线之后被编程。/n
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