[发明专利]闪速存储器件中的编程方法有效
| 申请号： | 201980001938.6 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110678926B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 王瑜;李爽;阮庆;侯春源;汤强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘健;张殿慧 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 器件 中的 编程 方法 | ||
1.一种对闪速存储器件编程的方法，包括：
选择多个字线中的第一字线以选定所选字线，所述所选字线对应于目标存储单元；以及
执行编程循环，包括：
对所述所选字线施加编程电压；以及
对所述目标存储单元执行验证，所述验证包括：
对所述所选字线施加预脉冲电压；
对所述多个字线中的未选字线施加多个越过电压，其中，所述未选字线不包括第二字线；
在施加所述预脉冲电压之后，对所述所选字线施加一系列递增的验证电压；以及
在施加所述预脉冲电压之后，对所述多个字线中的所述第二字线施加浮置电压，所述第二字线与所述所选字线相邻并且所述第二字线在所述所选字线之后被编程。
2.根据权利要求1所述的方法，所述编程循环进一步包括在所述验证之后对所述多个字线中的每个字线放电。
3.根据权利要求1所述的方法，所述编程循环进一步包括如果具有大于目标电压的阈值电压的存储单元的数量大于预定数量则结束所述编程循环。
4.根据权利要求1所述的方法，所述编程循环进一步包括提高所述编程电压。
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：如果编程循环计数达到最大循环计数，则结束所述编程循环。
6.一种对闪速存储器件编程的方法，包括：
选择多个字线中的第一字线以选定所选字线，所述所选字线对应于目标存储单元；以及
执行编程循环，包括：
对所述所选字线施加编程电压；以及
对所述目标存储单元执行验证，所述验证包括：
对所述所选字线施加预脉冲电压；
对所述多个字线中的未选字线施加多个越过电压，其中，所述未选字线不包括第二字线；
在施加所述预脉冲电压之后，对所述所选字线施加一系列递增的验证电压；以及
在施加所述预脉冲电压之后，将所述多个字线中的所述第二字线放电到系统电压电平，所述第二字线与所述所选字线相邻并且所述第二字线在所述所选字线之后被编程；以及
在将所述第二字线放电至所述系统电压电平之后，对所述第二字线施加浮置电压。
7.根据权利要求6所述的方法，所述编程循环进一步包括在所述验证之后对所述多个字线中的每个字线放电。
8.根据权利要求6所述的方法，所述编程循环进一步包括：如果具有大于目标电压的阈值电压的存储单元的数量大于预定数量，则结束所述编程循环。
9.根据权利要求6所述的方法，所述编程循环进一步包括提高所述编程电压。
10.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：如果编程循环计数达到最大循环计数，则结束所述编程循环。
11.一种对闪速存储器件编程的方法，包括：
选择多个字线中的第一字线以选定所选字线，所述所选字线对应于目标存储单元；以及
执行编程循环，包括：
对所述所选字线施加编程电压；以及
对所述目标存储单元执行验证，所述验证包括：
对所述所选字线施加预脉冲电压；
对所述多个字线中的未选字线施加多个越过电压，其中，所述未选字线不包括第二字线；
在施加所述预脉冲电压之后，对所述所选字线施加一系列递增的验证电压；以及
在施加所述预脉冲电压之后，将所述多个字线中的所述第二字线放电至地电压电平，所述第二字线与所述所选字线相邻并且处于所述所选字线的最接近位线晶体管的一侧上；以及
在将所述第二字线放电至所述地电压电平之后，对所述第二字线施加浮置电压。
12.根据权利要求11所述的方法，所述编程循环进一步包括在所述验证之后对所述多个字线中的每个字线放电。
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