[发明专利]辐射检测和制造辐射检测器的方法在审
| 申请号： | 201980000947.3 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110770606A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 梁魁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/20 | 分类号： | G01T1/20;H01L27/146 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜春咸;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种具有多个像素的辐射检测器。多个像素中的对应一个包括：薄膜晶体管，其位于衬底基板上；层间介电层，其位于薄膜晶体管的远离衬底基板的一侧；感应电极和偏压电极，其位于层间介电层的远离衬底基板的一侧，其中，感应电极贯穿层间介电层以电连接至薄膜晶体管；钝化层，其位于感应电极和偏压电极的远离层间介电层的一侧，其中，钝化层包括第一部分和第二部分；以及，辐射检测层，其位于钝化层的远离衬底基板的一侧。第一部分和第二部分形成实质上平坦的接触表面。 | ||
| 搜索关键词： | 层间介电层 衬底基板 薄膜晶体管 感应电极 钝化层 偏压电极 像素 辐射检测器 辐射检测 电连接 平坦 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种辐射检测器，其具有多个像素，其中，所述多个像素中的对应一个包括：/n薄膜晶体管，其位于衬底基板上；/n层间介电层，其位于所述薄膜晶体管的远离所述衬底基板的一侧；/n感应电极和偏压电极，其位于所述层间介电层的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述感应电极贯穿所述层间介电层以电连接至所述薄膜晶体管；/n钝化层，其位于所述感应电极和所述偏压电极的远离所述层间介电层的一侧，其中，所述钝化层包括第一部分和第二部分；以及/n辐射检测层，其位于所述钝化层的远离所述衬底基板的一侧；/n其中，所述第一部分包括第一绝缘材料；/n所述第二部分包括不同于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料；并且/n所述第一部分的远离所述衬底基板的第一表面和所述第二部分的远离所述衬底基板的第二表面实质上共面，从而形成实质上平坦的接触表面。/n
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