[发明专利]辐射检测和制造辐射检测器的方法

权利要求书

1.一种辐射检测器，其具有多个像素，其中，所述多个像素中的对应一个包括：

薄膜晶体管，其位于衬底基板上；

层间介电层，其位于所述薄膜晶体管的远离所述衬底基板的一侧；

感应电极和偏压电极，其位于所述层间介电层的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述感应电极贯穿所述层间介电层以电连接至所述薄膜晶体管；

钝化层，其位于所述感应电极和所述偏压电极的远离所述层间介电层的一侧，其中，所述钝化层包括第一部分和第二部分；以及

辐射检测层，其位于所述钝化层的远离所述衬底基板的一侧；

其中，所述第一部分包括第一绝缘材料；

所述第二部分包括不同于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料；并且

所述第一部分的远离所述衬底基板的第一表面和所述第二部分的远离所述衬底基板的第二表面实质上共面，从而形成实质上平坦的接触表面。

2.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中，所述第二部分实质上覆盖所述感应电极的边缘部分，并且实质上覆盖所述偏压电极的边缘部分；

所述第一部分实质上覆盖所述感应电极的被所述感应电极的所述边缘部分实质上围绕的非边缘部分，并且实质上覆盖所述偏压电极的被所述偏压电极的所述边缘部分实质上围绕的非边缘部分；并且

所述第一部分不与所述感应电极的所述边缘部分和所述偏压电极的所述边缘部分直接接触。

3.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中，所述第一部分和所述第二部分彼此互补。

4.根据权利要求3所述的辐射检测器，其中，所述第一部分的一部分沿垂直于所述衬底基板和所述辐射检测层的平面的截面具有实质上倒梯形形状；并且

所述第二部分的一部分沿垂直于所述衬底基板和所述辐射检测层的平面的截面具有实质上梯形形状。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的辐射检测器，其中，所述第一绝缘材料是有机聚合物绝缘材料；并且

所述第二绝缘材料是无机绝缘材料。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的辐射检测器，其中，所述第一部分和所述第二部分一起形成连续绝缘层；并且

所述连续绝缘层的远离所述衬底基板的表面相对于所述衬底基板的高度实质上均匀。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的辐射检测器，其中，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影与所述感应电极在所述衬底基板上的正投影至少部分地重叠，并且与所述偏压电极在所述衬底基板上的正投影至少部分地重叠。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的辐射检测器，其中，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述感应电极在所述衬底基板上的正投影，并且完全覆盖所述偏压电极在所述衬底基板上的正投影；

所述第二部分将所述偏压电极与所述第一部分间隔开；并且

所述第二部分将所述感应电极与所述第一部分间隔开。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的辐射检测器，其中，所述第二部分实质上覆盖所述感应电极与所述偏压电极之间的电极间区域。

10.根据权利要求1至7以及权利要求9中任一项所述的辐射检测器，其中，所述感应电极和所述偏压电极是叉指电极；

所述感应电极和所述偏压电极的分支交替排列；

所述第一部分包括叉指分支；

所述感应电极和所述偏压电极在所述衬底基板上的正投影实质上覆盖所述第一部分在所述衬底基板上的正投影；并且

所述第二部分覆盖所述第一部分的叉指分支之间的电极间区域。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的辐射检测器，其中，所述辐射检测层与所述第一部分直接接触，并且与所述第二部分直接接触；并且

所述第一部分的远离所述衬底基板的所述第一表面和所述第二部分的远离所述衬底基板的所述第二表面实质上共面，从而形成与所述辐射检测层直接接触的所述实质上平坦的接触表面。