[发明专利]辐射检测和制造辐射检测器的方法在审
申请号: | 201980000947.3 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110770606A | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 梁魁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
主分类号: | G01T1/20 | 分类号: | G01T1/20;H01L27/146 |
代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 姜春咸;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 层间介电层 衬底基板 薄膜晶体管 感应电极 钝化层 偏压电极 像素 辐射检测器 辐射检测 电连接 平坦 贯穿 | ||
提供了一种具有多个像素的辐射检测器。多个像素中的对应一个包括:薄膜晶体管,其位于衬底基板上;层间介电层,其位于薄膜晶体管的远离衬底基板的一侧;感应电极和偏压电极,其位于层间介电层的远离衬底基板的一侧,其中,感应电极贯穿层间介电层以电连接至薄膜晶体管;钝化层,其位于感应电极和偏压电极的远离层间介电层的一侧,其中,钝化层包括第一部分和第二部分;以及,辐射检测层,其位于钝化层的远离衬底基板的一侧。第一部分和第二部分形成实质上平坦的接触表面。
技术领域
本发明涉及显示技术,更具体地,涉及辐射检测和制造辐射检测器的方法。
背景技术
直接转换辐射检测器通常包括辐射接收器、处理器和电源。通常,辐射接收器具有由Gd2O2S或CsI制成的闪烁层(scintillator layer)、大面积非晶硅传感器阵列和读出电路。闪烁层将辐射(例如,X射线光子)转换为可见光。随后,大规模集成非晶硅传感器阵列将可见光转换为电子,并通过读出电路将其数字化。数字化的信号被传输至计算机以进行图像显示。
非直接转换辐射检测器通常包括由Gd2O2S或CsI制成的闪烁层、PIN光电二极管和薄膜晶体管阵列。闪烁层将辐射(例如,X射线光子)转换为可见光。PIN光电二极管将可见光转换为电信号以进行图像显示。
发明内容
一方面,本发明提供了一种具有多个像素的辐射检测器,其中,所述多个像素中的对应一个包括:薄膜晶体管,其位于衬底基板上;层间介电层,其位于薄膜晶体管的远离衬底基板的一侧;感应电极和偏压电极,其位于层间介电层的远离衬底基板的一侧,其中,感应电极贯穿层间介电层以电连接至薄膜晶体管;钝化层,其位于感应电极和偏压电极的远离层间介电层的一侧,其中,钝化层包括第一部分和第二部分;以及,辐射检测层,其位于钝化层的远离衬底基板的一侧;其中,第一部分包括第一绝缘材料;第二部分包括不同于第一绝缘材料的第二绝缘材料;并且,第一部分的远离衬底基板的第一表面和第二部分的远离衬底基板的第二表面实质上共面,从而形成实质上平坦的接触表面。
可选地,第二部分实质上覆盖感应电极的边缘部分并且实质上覆盖偏压电极的边缘部分;第一部分实质上覆盖感应电极的被感应电极的边缘部分实质上围绕的非边缘部分,并且实质上覆盖偏压电极的被偏压电极的边缘部分实质上围绕的非边缘部分;并且,第一部分不与感应电极的边缘部分和偏压电极的边缘部分直接接触。
可选地,第一部分和第二部分彼此互补。
可选地,第一部分的一部分沿垂直于衬底基板和辐射检测层的平面的截面具有实质上倒梯形形状;并且,第二部分的一部分沿垂直于衬底基板和辐射检测层的平面的截面具有实质上梯形形状;
可选地,第一绝缘材料是有机聚合物绝缘材料;并且,第二绝缘材料是无机绝缘材料。
可选地,第一部分和第二部分一起形成连续绝缘层;并且连续绝缘层的远离衬底基板的表面相对于衬底基板的高度实质上均匀。
可选地,第一部分在衬底基板上的正投影与感应电极在衬底基板上的正投影至少部分地重叠并且与偏压电极在衬底基板上的正投影至少部分地重叠。
可选地,第二部分在衬底基板上的正投影完全覆盖感应电极在衬底基板上的正投影并且完全覆盖偏压电极在衬底基板上的正投影;第二部分将偏压电极与第一部分间隔开;并且,第二部分将感应电极与第一部分间隔开。
可选地,第二部分实质上覆盖感应电极与偏压电极之间的电极间区域。
可选地,感应电极和偏压电极是叉指电极;感应电极和偏压电极的分支交替排列;第一部分包括叉指分支;感应电极和偏压电极在衬底基板上的正投影实质上覆盖第一部分在衬底基板上的正投影;并且第二部分覆盖第一部分的叉指分支之间的电极间区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980000947.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。